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[发明专利]一种随机存储器-CN202210142366.7在审
发明人： 白瑞杰;杨一哲 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：本申请公开了一种随机存储器，该随机存储器包括：存储单元；字线；互补的位线对；第一输入输出线和第二输入输出线，用于与位线对连接，当位线对对应的列选通模块导通时，位线对通过导通的列选通模块而与输入输出线对连通；初始化模块，连接在第一输入输出线与第二输入输出线之间，在执行连写操作时，若下一笔写操作非进行数据输入屏蔽，在均衡阶段，第一输入输出线与第二输入输出线连通分享电荷以使两者上的电压为分享电压；若下一笔写操作进行数据输入屏蔽，在均衡阶段，第一输入输出线与第二输入输出线上的电压被预充电至工作电压并相互连通分享电荷，并在均衡阶段后保持工作电压以屏蔽数据写入至位线对。通过上述方式，可以降低电路的功耗。
一种随机存储器

[发明专利]一种随机存储器及其替换匹配电路-CN202210135437.0在审
发明人： 白瑞杰;李瑞天 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种随机存储器及其替换匹配电路，该替换匹配电路包括锁存电路和逻辑门电路，锁存电路包括地址锁存模块和使能锁存模块，地址锁存模块用来锁存被替换电路的地址信息，第一逻辑门模块连接地址锁存模块，并接收输入地址信息，以确定输入地址信息与地址锁存模块中锁存的地址信息是否一致；第二逻辑门模块连接地址锁存模块中的一个地址锁存单元，以使连接第二逻辑门模块的地址锁存单元作为辅助使能锁存单元，配合使能锁存模块锁存的第一使能信息，从而使第二逻辑门模块产生对应的第二使能信息，通过上述方式，提高了随机存储器的可靠性。
一种随机存储器及其替换匹配电路

[实用新型]一种专用电场辐射敏感度测试人员防护的互锁控制器-CN202123014154.0有效
发明人：翟锋涛;周闯;郭江;宋佳佳;白瑞杰;豆向波;苗胜;强成虎 -专利权人：陕西海泰电子有限责任公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电磁兼容自动测试测量技术领域，涉及一种专用电场辐射敏感度测试人员防护的互锁控制器。一种专用电场辐射敏感度测试人员防护的互锁控制器，包括机箱；还包括数字量输入输出模块；所述数字量输入输出模块的电源输入端连接有电源输入模块，电源输入模块连接外部电源；所述数字量输入输出模块的信号输入端连接有互锁信号输入端；所述数字量输入输出模块的输出端连接装载有电场辐射敏感度测试系统的外部电脑。本实用新型提高了互锁控制器的及时性。另一方面，互锁控制器结构简单，安装方便，易于推广。
一种专用电场辐射敏感度测试人员防护互锁控制器

[发明专利]存储器、存储器控制方法和系统-CN202111075729.1在审
发明人：张君敬;张华春;白瑞杰 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F1/3234 文献下载
摘要：公开了一种存储器、控制方法和系统。存储器包括：存储单元阵列；电源管理器；指令译码器；控制器；以及输入输出接口，包括芯片选通管脚。待机状态下，指令译码器和控制器使能，低功耗状态下，指令译码器使能，在超低功耗状态下则全部禁用。响应于接收到芯片选通信号，存储器从超低功耗状态进入低功耗状态；响应于接收到低功耗状态指令，从待机状态进入低功耗状态；响应于接收到超低功耗状态指令，从待机或低功耗状态进入超低功耗状态。本发明的存储器提供禁用译码器的超低功耗状态，处于超低功耗状态的存储器直接退出至低功耗状态，以便在不使能所有部件的情况下实现部分功能，由此降低功耗。
存储器控制方法系统

[实用新型]一种拖把摆放晾晒架体-CN202221309336.2有效
发明人：王丹丹;王恒;周文娟;陈思安;白瑞杰 -专利权人：中国建筑第五工程局有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： A47L13/51 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种拖把摆放晾晒架体，包括用于支撑的底座，底座后端固定有晾晒平台，晾晒平台的上端向前延伸而与底座之间夹成锐角。晾晒平台的上端设置有拖把限位结构，拖把限位结构设置于晾晒平台的后侧以限制待晾晒拖把的位置。本实用新型在使用时，拖把杆的重量被晾晒平台所支撑，拖把头由晾晒平台的前端垂下或是沿晾晒平台的延伸方向由前端伸出，拖把限位结构一方面限制拖把在架体宽度方向上的位置使其不会出现左右移动、另一方面限制拖把顺着晾晒平台向下滑落。由于拖把头的重力作用点与拖把杆的重力作用点分处于晾晒平台最上端的前后两侧，晾晒平台的受力会被均匀传递至底座，从而使得架体具有更佳的刚度和刚度，且更不易倾覆。
一种拖把摆放晾晒

[发明专利]一种基于聚焦基函数的相控阵近场波束控制方法-CN202210332917.6在审
发明人：郭江;宋佳佳;周闯;翟锋涛;白瑞杰;豆向波;张慧;苗胜 -专利权人：陕西海泰电子有限责任公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01Q3/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于聚焦基函数的相控阵近场波束控制方法，（1）将预期的测试区域进行网格化，划分为多个聚焦点；（2）以聚焦点获得聚焦基函数，得到新的阵元幅相分布；（3）将得到的幅相分布带入相控阵，计算测试区场强；（4）比较测试区域各聚焦点场强和期望场强，再次得到新的幅相分布；（5）重复步骤（3）~（4），直至测试区域场强均匀性满足要求，此时的阵元幅相记为最优分布；此方法可对给定规模的相控阵进行综合，得到其馈电幅相项分布，从而在相控阵近场区产生高强度（大于1000V/m）、宽范围（1m以上）、场均匀性较好（小于1dB）的近场聚焦波束，满足电磁兼容领域的测试要求。
一种基于聚焦函数相控阵近场波束控制方法

[实用新型]一种水利大坝施工用混凝土制备装置-CN202121358179.X有效
发明人：张鹏利;王亮;李迁;康斌;白瑞杰 -专利权人：陕西省引汉济渭工程建设有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B28C5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水利大坝施工用混凝土制备装置，将混凝土从进料口倒入搅拌室，控制第二电机进行工作，通过电机轴带动第二齿轮转动，同时第一齿轮和第二齿轮活动连接在一起，以至于第一齿轮跟着第二齿轮进行转动，第一齿轮下方固定安装有第一旋转杆，由于第一齿轮转动带动着第一旋转杆同时进行转动，第一旋转杆下方安装有固定杆和扇叶，所以启动第二电机时，扇叶进行转动，对搅拌室内的混凝土进行搅拌，搅拌至一定程度时，打开第一电机，带动第二旋转杆和上部的搅拌叶进行转动，将底部的混凝土向出料口处推去，使混凝土可以从出料管流出，装置主体下部安装有四个万向轮和刹车，方便的该装置的搬运和移动。
一种水利大坝施工混凝土制备装置

[发明专利]一种4H-SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法-CN201910458081.2有效
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种4H‑SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：衬底层；漂移层，位于衬底层上表面；掩蔽层和基区，分别位于漂移层上表面；肖特基电极，位于掩蔽层上表面；第一源极，位于掩蔽层上表面和肖特基电极的上表面；栅介质层，位于第一源极上表面、掩蔽层的上表面以及漂移层第三区域的上表面；多晶硅栅层，位于栅介质层内表面；第一源区和第二源区，均位于基区上表面；第二源极，位于第一源区和第二源区上表面；栅极，位于多晶硅栅层上表面；漏极，位于衬底层下表面。本发明通过在槽栅结构侧壁形成SBD二极管，消除了双极退化效应，减小器件二极管工作模式下开启电压，增大了器件的开关速度，降低了器件的开关功耗，提升了器件性能。
一种 sic 集成 sbd mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种非线性双频图的自动识别方法-CN202011355630.2在审
发明人：郭江;宋佳佳;苗胜;周闯;刘敏;翟锋涛;白瑞杰;张慧 -专利权人：陕西海泰电子有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性双频图的自动识别方法，包括如下步骤：（1）将三维双频图构造成极坐标系下的一组曲线；（2）在极坐标系下形成三维累加图，利用霍夫变换的基本原理构造三维累加图峰值直线方程；（3）确定三维累加图主峰直线方程；（4）在三维双频图中消除三维累加图主峰直线方程上的点；（5）对新三维双频图数据重复步骤（1）至（4）以此获得双频图上各直线方程和响应类型。此识别方法无需人工参与，可通过计算机程序一次性识别出双频图上的所有直线方程和响应类型，有效提高识别准确率，节省人工成本，提高经济效益。
一种非线性双频自动识别方法

[实用新型]一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件-CN201920793260.7有效
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过槽栅底部的P+型掩蔽层，改变了栅介质层拐角处的电场分布，降低了器件拐角处的电场集中，提高了器件的击穿电压，提高器件的可靠性。
一种碳化硅掩蔽结构 mosfet 器件

[实用新型]一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件-CN201920793325.8有效
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区，其中，所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构底部的拐角处设置有掩蔽层结构，所述掩蔽层结构对所述槽栅结构底部的拐角呈包裹状，且未与所述P型基区的下表面接触；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本实用新型的碳化硅MOSFET器件，在槽栅结构底部设置了掩蔽层结构，提高了器件的击穿电压。
槽栅结构掩蔽层碳化硅MOSFET 本实用新型击穿电压内部设置依次设置包裹状衬底层拐角处漏电极上表面下表面源电极栅电极拐角延伸

[实用新型]一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件-CN201920792089.8有效
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;吴勇;袁昊;韩超 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件，该MOSFET器件包括：外延层；基区，位于所述外延层的两侧；漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；衬底层，位于所述漂移层下表面；漏极，位于所述衬底层下表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。本实用新型的这种MOSFET器件，通过改变P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。
上表面基区外延层源区下表面本实用新型多晶硅层栅介质层衬底层漂移层电场聚集击穿电压基区结构器件元胞预设区域拐角内表面碳化硅槽栅漏极源极

[发明专利]一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件及其制备方法-CN201910458107.3在审
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;袁昊;何艳静;何晓宁;韩超 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅倒T形掩蔽层结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，位于所述栅介质层的两侧；掩蔽层，位于所述栅介质层的下表面；漂移层，位于所述基区和所述掩蔽层的下表面；衬底层，位于所述漂移层的下表面；漏极，位于所述衬底层的表面；多晶硅层，位于所述栅介质层的内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。第一源区，位于所述基区的部分区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面。本发明的这种MOSFET器件，通过槽栅底部的P+型掩蔽层，改变了栅介质层拐角处的电场分布，降低了器件拐角处的电场集中，提高了器件的击穿电压，提高器件的可靠性。
栅介质层掩蔽层上表面基区源区下表面多晶硅层衬底层拐角处漂移层碳化硅倒T形制备电场分布电场集中击穿电压内表面通过槽漏极源极

[发明专利]一种具有T型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件-CN201910458073.8在审
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有T型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区；所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N型漂移区的内部，所述槽栅结构的顶部延伸出所述P型基区的上表面；所述槽栅结构的下方设置有T型掩蔽层结构，且所述T型掩蔽层结构的上表面与所述槽栅结构的下表面接触；所述P型源区和所述N型源区上设置有源电极；所述槽栅结构上设置有栅电极。本发明的碳化硅MOSFET器件，通过在槽栅结构的底部增加T型掩蔽层结构，提高了器件的击穿电压，而且增大了器件的开关速度，同时也减少了器件的开关功耗。
槽栅结构掩蔽层碳化硅MOSFET 上表面击穿电压开关功耗内部设置依次设置衬底层漏电极下表面源电极栅电极延伸

[发明专利]一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法-CN201910458082.7在审
发明人：宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅单侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：栅介质层；基区，包括第一基区和第二基区，分别位于栅介质层的两侧；电流扩散层，位于栅介质层和第二基区之间；漂移层，位于基区和电流扩散层的下表面；衬底层，位于漂移层的下表面；漏极，位于衬底层的下表面；多晶硅层，位于栅介质层的内表面；栅极，位于多晶硅层的上表面；第一源区，位于基区的预设区域的上表面；第二源区，位于基区的其余区域的上表面；源极，位于第一源区和第二源区的上表面。本发明的这种MOSFET器件，通过改变单侧P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。
基区栅介质层上表面源区下表面电流扩散层多晶硅层基区结构衬底层漂移层碳化硅制备电场聚集击穿电压器件元胞预设区域内表面拐角槽栅漏极源极

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