[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201822082169.2 | 申请日： | 2017-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN209496853U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·S·奥尔森;泰万·基姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件包括含硅和氮层；在含硅和氮层中形成的具有至少40:1的纵横比的特征；以及在特征面上的氧化层，所述氧化层在含硅和氮层的底部区域中具有的厚度是顶部区域中的氧化层的厚度的至少95％。基板氧化组件包括：界定处理容积的腔室主体；设置在处理容积中的基板支撑件；耦接到处理容积的等离子体源；流动耦接到处理容积的蒸汽源；和基板加热器。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 氮层 半导体器件 等离子体源 基板加热器 基板支撑件 底部区域 顶部区域 腔室主体 氧化组件 蒸汽源 纵横比 基板 界定 流动 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括∶含硅和氮层；形成在所述含硅和氮层中的特征，所述特征具有：大体上垂直于基板的表面；底部区域；顶部区域，所述顶部区域比所述底部区域离所述基板更远；以及至少40:1的纵横比；以及氧化层，在所述特征的所述表面上，所述氧化层在所述底部区域中具有的厚度是所述氧化层在所述顶部区域中的厚度的至少95％。
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