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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高纵横比触点-CN200780010481.2无效
发明人：阿龙·R·威尔逊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-02-20 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于通过将具有至少百分之五十(50)He的第一气体蚀刻剂供应到等离子体蚀刻反应器并将绝缘层暴露于所述第一气体蚀刻剂的等离子体来蚀刻所述绝缘层以产生具有至少15∶1的纵横比的开口的方法。使用所述第一气体蚀刻剂可减少绝缘层中具有至少15∶1的纵横比的开口中的扭曲的发生。
纵横触点

[发明专利]一种储层岩石声电性质联合模拟方法-CN201910020311.7有效
发明人：韩同城;任舒波;徐登辉;李博 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：其包括：步骤S1：根据DEM声学模型和电学模型分别计算岩石声速和电导率；步骤S2：反演孔隙纵横比与固体颗粒纵横比；步骤S3：分别建立孔隙纵横比和固体颗粒纵横比与孔隙度之间的关系；步骤S4：建立孔隙纵横比与固体颗粒纵横比之间的关系；步骤S5：应用孔隙纵横比与固体颗粒纵横比之间的关系实现声电性质联合模拟。
一种岩石性质联合模拟方法

[发明专利]采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路-CN201780045998.9在审
发明人： J·J·徐;M·巴达洛格鲁;杨达;P·奇达巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：公开了采用高纵横比电压轨以减小电阻的标准单元电路。在一个方面，提供了一种标准单元电路，其采用被配置为接收第一供应电压的第一高纵横比电压轨。第二高纵横比电压轨被采用，其基本上平行于第一高纵横比电压轨被设置。第一和第二高纵横比电压轨之间的电压差用于为标准单元电路中的电路器件供电。第一和第二高纵横比电压轨每个具有大于1.0的高宽比。每个相应的第一和第二高纵横比电压轨的高度大于每个相应的宽度。采用第一和第二高纵横比电压轨允许每个电压轨具有限制电阻和对应IR下降的横截面积。
电压轨高纵横比标准单元电路电阻减小电路器件供应电压电压差高宽比平行供电配置

[发明专利]用于高纵横比物质的回收方法-CN200380110437.0无效
发明人：尼尔·A·麦克明 -专利权人：福丁有限公司
申请日： 2003-08-08 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： B07B9/00 文献下载
摘要：用于将硅灰石矿石颗粒和其他纵横比物质分成较高纵横比组分和较低纵横比组分的设备和方法，包括一开始步骤，或者将该物质的尺寸减小(2)成为尺寸小于预选的最大尺寸的纵横比物质的颗粒，或者可选择地提供这样的纵横比物质的颗粒然后根据粒径将该纵横比物质的颗粒分成多个粒子流(4)，以使每一粒子流基本上是由尺寸在一特定粒径范围内的颗粒形成的。然后，将至少一个粒子流中的颗粒根据颗粒形状分选成较高纵横比组分和较低纵横比组分(6)。
用于纵横物质回收方法

[发明专利]高纵横比电镀结构和各向异性电镀工艺-CN201780082271.8在审
发明人： D·P·里默;K·C·斯旺森;P·F·拉德维希 -专利权人：哈钦森技术股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：描述了包括高纵横比电镀结构的装置和形成高纵横比电镀结构的方法。一种制造金属结构的方法，包括：提供具有金属基部的基底，所述金属基部的特征在于高度与宽度纵横比A/B；以及在所述基部上电镀金属冠以形成所述金属结构，所述金属结构的高度与宽度纵横比A/S大于所述基部的纵横比
高纵横比金属结构电镀纵横比金属基部基部电镀工艺电镀金属基底制造

[发明专利]针对通信会话视频流的动态控制的纵横比-CN202080090535.6在审
发明人： J·T·福尔克纳;R·阿斯塔范斯;K·D·莫里森;T·阿廖申;C·A·福斯;A·帕兰的卡尔 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F3/14 文献下载
摘要：所公开的技术通过基于设备的物理朝向而为通信会话渲染提供动态控制的纵横比来改进用户参与并促进计算资源的高效使用。在一些配置中，当设备处于第一朝向时，例如纵向朝向时，系统可以为通信会话的各个视频流选择第一纵横比。此外，当设备处于第二朝向(例如，横向朝向)时，系统可以为各个视频流选择第二纵横比。在一些配置中，第一纵横比可以大于第二纵横比，或者可以基于可以随时间调整的目标纵横比来选择纵横比。通过为各个流渲染动态选择纵横比，可以在将设备保持在各种物理朝向的同时优化设备的屏幕空间。
针对通信会话视频动态控制纵横

[发明专利]图像处理设备和存储介质-CN201410340103.2在审
发明人：塚原翼;永野大辅;佐藤大辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H04N5/445 文献下载
摘要：提供了一种图像处理设备，该图像处理设备包括：图像产生部，基于来自以第一纵横比执行成像的成像部的像素值来产生具有第二纵横比的压缩图像，该第二纵横比具有比第一纵横比小的短边。
图像处理设备存储介质

[发明专利]虚像显示装置-CN201110301546.7有效
发明人：武田高司;高木将行;宫尾敏明;户谷贵洋;小松朗 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本发明的目的是提供满足设计上的限制并作为虚像入射观察者的眼的图像光，可将纵横比设定成期望的状态的虚像显示装置。本发明中，通过纵横比变换光学系统的变换，可将虚像的纵横比变换为比图像区域的纵横比(4∶3)横长的纵横比(16∶9)。从而，例如即使是相对于虚像显示装置全体的图像形成装置的横宽在设计上限制的场合，也可以将观察者的眼作为虚像识别的图像光的纵横比调节到期望的状态。
虚像显示装置

[发明专利]镶有透镜的照相胶片装置及生产这种装置的方法和设备-CN96120383.8无效
发明人：鎌田和雄 -专利权人：富士写真胶片株式会社
申请日： 1996-10-23 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G03B17/24 文献下载
摘要：该装置具有纵横尺寸比信息。利用光学方法，可以预先将该纵横尺寸比信息记录在该照相胶片上，该纵横尺寸比信息与相应的一个画面建立联系。该纵横尺寸比信息包括两个点，并且用二个二进制数代表一个纵横尺寸比。该装置具有一个带有该纵横尺寸比观察区域的取景器。
透镜照相胶片装置生产这种方法设备

[发明专利]高深宽比结构的制备方法及结构-CN201710774069.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种高纵横比结构的制备方法及结构，包括以下步骤：1）提供一半导体晶圆，晶圆的正面上形成有若干个高纵横比结构，若干个高纵横比结构间隔排布，且高纵横比结构之间填充有牺牲层；2）在晶圆的正面喷涂润湿剂，润湿剂与牺牲层的接触角小于30°；3）在保持高纵横比结构的表面润湿状态下，采用湿法刻蚀工艺去除牺牲层。本发明在采用湿法腐蚀工艺去除位于高纵横比结构之间的牺牲层之前，先在牺牲层及高纵横比结构的表面喷涂润湿剂，可以使得润湿剂与牺牲层完全覆盖接触，在后续采用湿法腐蚀溶液去除牺牲层时，湿法腐蚀溶液与牺牲层之间不会产生气泡，可以将牺牲层完全去除，从而可以有效防止高纵横比结构的坍塌。
高深结构制备方法

[发明专利]超高纵横比接触件-CN201510799574.4在审
发明人：阿巴斯·阿里 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纵横比接触件。具有超高纵横比接触件(116)的半导体装置(100)在衬底(102)中具有深沟槽(118)。电介质衬层(122)形成于所述深沟槽(118)的侧壁及底部上。导电材料(134)形成于所述深沟槽(118)中以穿过所述接触开口(128)将所述超高纵横比接触件(116)提供到所述衬底(102)。
超高纵横接触

[发明专利]低纵横比压敏电阻-CN201880085168.3有效
发明人： M.柯克;M.贝罗利尼;P.拉文德拉纳坦 -专利权人：京瓷AVX元器件公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01C7/10 文献下载
摘要：公开了一种低纵横比压敏电阻。压敏电阻可以具有矩形构造，其限定在宽度方向上偏移的第一和第二相对侧表面以及在长度方向上偏移的第一和第二相对端表面。第一或第二电极中的至少一个可具有小于约1的电极纵横比。
纵横压敏电阻

[发明专利]纵横尺寸比显示系统-CN97113412.X无效
发明人：饭川敬;铃木学 -专利权人：索尼公司
申请日： 1997-04-26 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： H04N3/00 文献下载
摘要：一种纵横尺寸比显示系统，根据将输入信号的扫描行数转换为任意数量的扫描行以形成输出图像信号的扫描行转换装置，显示纵横尺寸比。该系统包括识别部件，识别根据输入信号格式形成的画面纵横尺寸比；操作板，显示识别的输入视频信号的类型；设置部件，结合操作板上输入信号的类型显示，设置输出图像信号的格式；控制部件，根据输入信号格式和输出图像信号格式，控制扫描行转换装置；和显示部件，显示识别的纵横尺寸比和输出图像。
纵横尺寸显示系统

[发明专利]高纵横比结构分析-CN201380052272.X在审
发明人： S.H.李;S.斯通;J.布莱克伍德;M.施米德特 -专利权人： FEI公司
申请日： 2013-10-04 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如，离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。
纵横结构分析

[发明专利]纳米级结构的制造方法及使用该方法制造的纳米级结构-CN201480021763.2有效
发明人：崔波;里彭·库马尔·戴 -专利权人：崔波;里彭·库马尔·戴
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
纳米结构制造方法使用

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