[发明专利]氧化层制造方法无效
| 申请号： | 201010172661.4 | 申请日： | 2010-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101866851A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层，本发明可使所述晶片表面的氧化层厚度的均匀性得到明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化层制造方法，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述氧化层制造方法包括：执行低压化学气相沉积工艺，以在晶片上形成第一氧化层；执行现场水汽生成退火工艺，以在所述第一氧化层上形成第二氧化层。
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- 田中彻;织田明博;野尻刚;吉田诚人 - 日立化成株式会社
- 2012-12-28 - 2018-01-26 - H01L21/316
- 本发明提供一种带钝化膜的半导体基板的制造方法，其包括在半导体基板上形成电极的工序；在上述半导体基板的形成上述电极的面上赋予包含有机铝化合物的半导体基板钝化膜形成用组合物而形成组合物层的工序；和对上述组合物层进行加热处理而形成钝化膜的工序。
- 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池-201380036945.2
- 田中彻;吉田诚人;仓田靖;织田明博;佐藤铁也;早坂刚 - 日立化成株式会社
- 2013-07-12 - 2018-01-19 - H01L21/316
- 本发明的钝化层形成用组合物包含通式(I)所示的有机铝化合物和通式(II)所示的有机化合物。通式(I)中，R1分别独立地表示碳数1～8的烷基。n表示0～3的整数。X2及X3分别独立地表示氧原子或亚甲基。R2、R3及R4分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
