[实用新型]半导体器件结构

摘要

本实用新型提供一种半导体器件结构，包括：半导体衬底，内形成有若干个有源区及隔离结构，每一有源区包括第一接触区及第二接触区，且有源区底内形成有若干个栅沟槽结构，以分离第一接触区与第二接触区，栅沟槽结构包括沟槽主体及连接于下方的微沟结构，且栅沟槽结构的深度小于隔离结构的深度；以及埋入式栅极字线结构，填充于栅沟槽结构中，埋入式栅极字线包括形成于栅沟槽结构内表面的栅介质层，以及填充于栅沟槽结构内栅电极层。本实用新型通过不同材料间的刻蚀选择比的不同形成特殊的微沟结构，简化制备工艺，提高制备精度，在保持原有器件尺寸的基础上，使沟道面积得以增加，可进一步增加传输通道的宽度，提高场效应晶体管的器件性能。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干个有源区及隔离所述有源区的隔离结构，每一所述有源区包括第一接触区及第二接触区，且所述有源区底内形成有若干个栅沟槽结构，以分离所述第一接触区与所述第二接触区，所述栅沟槽结构包括沟槽主体及连接于所述沟槽主体下方的微沟结构，且所述栅沟槽结构的深度小于所述隔离结构的深度；以及埋入式栅极字线结构，填充于所述栅沟槽结构中，所述埋入式栅极字线包括形成于所述栅沟槽结构内表面的栅介质层、填充于所述栅沟槽结构内的栅电极层以及位于所述栅介质层与所述栅电极层之间的功函数层。