[发明专利]沟槽栅IGBT有效
| 申请号： | 201610003233.6 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106941114A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;朱利恒;黄建伟;罗海辉;谭灿健;杨鑫著;肖强;文高 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽栅IGBT，包括：半导体衬底和第一结构，所述第一结构包括位于所述半导体衬底表面内的第一沟槽栅结构及第二沟槽栅结构；其中，第二沟槽栅结构位于两个第一沟槽栅结构之间，第一沟槽栅结构为真栅，第二沟槽栅结构为假栅；发射极金属与第二沟槽栅结构相接触。由于现有技术中的发射极金属接触区设置在沟槽之间，而本发明中的发射极金属接触区不限于沟槽之间，即发射极金属接触区包含了与假栅接触部分，增大了发射极金属接触区，使用此种结构并没有使沟槽间距增大，相反，还可以将第一沟槽栅结构与第二沟槽栅结构之间的距离适当缩小，使真栅与假栅之间的间距不再受发射极最小接触面积的影响，显著降低沟槽栅IGBT的导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
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