[发明专利]一种沟槽栅IGBT芯片有效
| 申请号： | 201410473229.7 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN104183634B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个元胞包括第I沟槽栅和第II沟槽栅，所述沟槽栅之间由第一导电类型区域隔离，所述第II沟槽位于所述第I沟槽的一侧，在所述第I沟槽栅的另一侧设置有发射极和第二导电类型的源极区，所述沟槽栅IGBT芯片还包括形成于所述第一导电类型区域内的第III沟槽栅，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽栅的栅长所在的直线相交。相较于现有技术，制备本发明提供的沟槽栅IGBT芯片，不会增加制备的工艺难度和成本。此外，由于增加的第III沟槽栅，增加了沟槽栅IGBT芯片的沟槽密度，有利于提高IGBT芯片的耐压、功耗和安全工作区性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅IGBT芯片，包括若干个相互并联的元胞，每个元胞包括第I沟槽栅和第II沟槽栅，所述沟槽栅之间由第一导电类型区域隔离，所述第II沟槽位于所述第I沟槽的一侧，在所述第I沟槽栅的另一侧设置有发射极和第二导电类型的源极区，所述发射极和所述第二导电类型的源极区位于第一导电类型基区内，其特征在于，所述沟槽栅IGBT芯片还包括：形成于所述第一导电类型区域内的第III沟槽栅，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽栅的栅长所在的直线相交；其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反；所述第II沟槽栅和所述第III沟槽栅均为多个，所述第III沟槽栅的栅长所在的直线与所述第II沟槽的栅长所在的直线相交时形成多个交汇处，所述多个交汇处包括多个第一交汇处和多个第二交汇处，在所述第一交汇处，第III沟槽栅与所述第II沟槽栅相互连接，在所述第二交汇处，所述第III沟槽栅与所述第II沟槽栅相互隔离。
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