[实用新型]一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构

摘要

本实用新型实施例涉及一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构,布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；第一沟槽栅与第二沟槽栅沿第二方向相互平行设置，第三沟槽栅为S型，置于第一沟槽栅与第二沟槽栅之间；一个接触孔置于第三沟槽栅与第二沟槽栅之间，另一个接触孔置于第三沟槽栅与第一沟槽栅之间；其中，接触孔至第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；第三沟槽栅至第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；第一方向与第二方向相垂直。

主权项

1.一种增加VDMOS沟道密度的蛇形布图结构，其特征在于，所述蛇形布图结构包括沿第一方向和第二方向重复排列的多个元胞：所述元胞包括：第一沟槽栅、第二沟槽栅、第三沟槽栅和两个接触孔；所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅沿所述第二方向相互平行设置，所述第三沟槽栅为S型，置于所述第一沟槽栅与所述第二沟槽栅之间；一个所述接触孔置于所述第三沟槽栅与所述第二沟槽栅之间，另一个所述接触孔置于所述第三沟槽栅与所述第一沟槽栅之间；其中，所述接触孔至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅和第三沟槽栅的间距均不小于第一最小间距；所述第三沟槽栅至所述第一沟槽栅、第二沟槽栅的间距均不小于第二最小间距；每个元胞的第二沟槽栅与在第一方向上相邻一个元胞的第一沟槽栅为相互重合的同一沟槽栅；所述第一方向与所述第二方向相垂直。