[发明专利]具有支撑图案的半导体器件在审

专利信息
申请号: 201811508853.0 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109994449A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 南奇亨;金奉秀;黄有商 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/528 分类号: H01L23/528;H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种半导体器件包括:在半导体衬底上的多个柱;以及支撑图案,与柱的一些侧表面接触并将柱彼此连接,其中支撑图案包括暴露柱的其它侧表面的开口,每个柱包括与支撑图案接触的第一柱上部以及与支撑图案间隔开的第二柱上部,第二柱上部具有凹入斜面。
搜索关键词: 支撑 图案 半导体器件 侧表面 凹入斜面 彼此连接 图案间隔 衬底 半导体 开口 暴露
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:在半导体衬底上的多个柱;以及支撑图案,与所述柱的一些侧表面接触并且将所述柱彼此连接,其中所述支撑图案包括暴露所述柱的其它侧表面的开口,所述柱的每个包括与所述支撑图案接触的第一柱上部以及与所述支撑图案间隔开的第二柱上部,以及所述第二柱上部具有凹入斜面。
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