[发明专利]半导体结构、测试垫结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811396798.0 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111211108A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓;许緁娗 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/544;H01L23/485;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构、测试垫结构及测试垫结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该测试垫结构包括钝化层、介电层、通孔和测试垫。介电层，设置于所述钝化层的一侧，包括重布线层和导电体，所述重布线层具有测试部，所述导电体位于所述重布线层远离所述钝化层的一侧，且与所述测试部正对设置；通孔，穿过所述钝化层和所述测试部，并露出所述导电体，所述测试部的部分区域延伸至所述通孔内；测试垫，填充于所述通孔，且具有第一端和第二端，所述第一端与所述导电体连接，所述第二端凸出于所述钝化层。本公开的测试垫结构可提高导电能力，且便于测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 测试 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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