[发明专利]一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811288687.8 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461768A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 邵锦文;侯同晓;孙致祥;贾仁需;元磊;张秋洁;刘学松 | 申请（专利权）人： | 秦皇岛京河科学技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张晓 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市市辖区经*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC结势垒肖特基二极管及其制造方法，其中，所述SiC结势垒肖特基二极管包括：第一导电类型SiC衬底层、低掺杂第一导电类型外延层、高掺杂第一导电类型外延层、多个第二导电类型掺杂区，所述第二导电类型掺杂区的深度大于所述高掺杂第一导电类型外延层的厚度，第一电极和第二电极。本发明实施例通过调整表面掺杂浓度，势垒宽度减小，使得二极管的势垒降低，通过不同掺杂浓度改变金属‑半导体接触的有效势垒高度，从而减小势垒宽度，使得自由程较小的电子也可以穿透势垒，正向隧穿电流增大，相当于减小了导通电阻，因此可以通过较小的电压实现二极管导通。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 结势垒肖特基二极管 势垒 外延层 导电类型 掺杂区 高掺杂 减小 有效势垒高度 二极管导通 二极管 表面掺杂 导通电阻 第二电极 第一电极 宽度减小 隧穿电流 低掺杂 自由程 正向 半导体 制造 穿透 掺杂 金属 | ||
【主权项】：
1.一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：第一导电类型SiC衬底层，所述第一导电类型SiC衬底层包括相对的第一表面和第二表面；其中，低掺杂第一导电类型外延层，位于所述第一导电类型SiC衬底层的第一表面上，其中，所述低掺杂第一导电类型外延层的掺杂浓度小于所述第一导电类型SiC衬底层的掺杂浓度；高掺杂第一导电类型外延层，位于所述低掺杂第一导电类型外延层上；多个第二导电类型掺杂区，从所述高掺杂第一导电类型外延层远离所述第一导电类型SiC衬底层的表面延伸进入所述高掺杂第一导电类型外延层，且所述第二导电类型掺杂区的深度大于所述高掺杂第一导电类型外延层的厚度；第一电极，设置在所述第二导电类型掺杂区和所述高掺杂第一导电类型外延层的上表面；第二电极，设置在所述第一导电类型SiC衬底层的第二表面。
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