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[发明专利]过电压保护装置-CN201510846197.5有效
发明人： J·厄尔捷;G·鲍格里内;M·罗维瑞 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。
过电压保护装置

[发明专利]一种实用直流电位测试电路-CN201310576208.3无效
发明人：何兴诗 -专利权人：西安丁子电子信息科技有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G01R19/14 文献下载
摘要：本发明一种实用直流电位测试电路，由二极管（VD1）、第一发光二极管（LED1）、第二发光二极管（LED2）、第一电阻（R1）、第二电阻（R2）、测试探头（H）构成；当测试探头为正电压时，第二发光二极管（LED2）导通发光，第一发光二极管（LED1）不导通不发光；当测试探头为负电压时，第一发光二极管（LED1）导通发光，第二发光二极管（LED2）不导通不发光；当测试探头接触没有设置接地的外壳时，第一发光二极管（LED1）第二发光二极管（LED2）任何一个导通发光，就表明存在漏电现象。
一种实用直流电位测试电路

[发明专利]一种桥式电路的驱动电路-CN200710146937.X有效
发明人：吕明海;李剑;朱赵川 -专利权人：艾默生网络能源系统有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种桥式电路的驱动电路，包括功率管的驱动芯片，其中：驱动电路还包括第一嵌位二极管和第二嵌位二极管，第一嵌位二极管正向并联在所述的功率管的源极和栅极之间；在正向驱动支路中，第二嵌位二极管正向串联在驱动芯片的第一输出端与功率管的栅极之间因而在第一嵌位二极管、驱动芯片、第二嵌位二极管和正向驱动电阻形成的回路中，第二嵌位二极管和第一嵌位二极管都处于导通状态而且导通压降基本相等，新增的两嵌位二极管形成的导通压降基本相互抵消，使得在第二嵌位二极管和第一嵌位二极管可以使用常用的导通压降较大的二极管的同时
一种电路驱动

[发明专利]一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法-CN202210876407.5有效
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有双沟道二极管的沟槽栅SiC MOSFET器件及其制备方法，通过第二源极多晶硅与第二沟道二极管氧化层、第二P型区和第二源区配合设置形成第二沟道二极管；通过源沟槽与第一沟道二极管栅氧化层、基区和第一源区配合设置形成第一沟道二极管；由于两个沟道二极管的开启电压不同，在二极管电流较低时，其中一个二极管导通；在二极管电流较高时，第一沟道二极管和第二沟道二极管都导通；双沟道二极管的设置在为器件提供反向并联续流二极管，能够有效提高二极管的抗浪涌性能，并且有效避免了寄生PN结二极管导通，防止发生双极退化效应。
一种具有沟道二极管沟槽 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种微功耗单向导通电路-CN201210389750.3有效
发明人：张从峰 -专利权人：张从峰
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开一种微功耗单向导通电路，包括单向导通二极管、开关、控制器和采样电路，其中，开关的功率端子与单向导通二极管并联，而开关的控制极连接控制器；采样电路采样单向导通二极管的导通电流方向，并将结果送入控制器；控制器根据单向导通二极管的导通电流方向，通过控制极对开关进行开通与否及占空比的控制，当单向导通二极管正向导通时，控制器为开关提供开通信号，开关导通；当单向导通二极管反向导通时，控制器为开关提供关断指令，开关断开，从而使单向导通二极管反向截止。此种电路结构可大幅降低由于二极管的正向压降而导致的较大功率问题。
一种功耗向导通电

[实用新型]一种微功耗单向导通电路-CN201220526334.9有效
发明人：张从峰 -专利权人：张从峰
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种微功耗单向导通电路，包括单向导通二极管、开关、控制器和采样电路，其中，开关的功率端子与单向导通二极管并联，而开关的控制极连接控制器；采样电路采样单向导通二极管的导通电流方向，并将结果送入控制器；控制器根据单向导通二极管的导通电流方向，通过控制极对开关进行开通与否及占空比的控制，当单向导通二极管正向导通时，控制器为开关提供开通信号，开关导通；当单向导通二极管反向导通时，控制器为开关提供关断指令，开关断开，从而使单向导通二极管反向截止。此种电路结构可大幅降低由于二极管的正向压降而导致的较大功率问题。
一种功耗向导通电

[发明专利]一种测试器件群测试键-CN201410318557.X有效
发明人：柯其勇;孙鲁男;游方伟;王俊闵 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种测试器件群测试键，包括场效应晶体管，具有源极、栅极和漏极；源极测试垫，连接到源极；栅极测试垫，连接到栅极；漏极测试垫，连接到漏极；第一二极管组，连接到源极测试垫和栅极测试垫之间，其中第一二极管组由多个二极管连接而成，使得从源极测试垫到栅极测试垫方向上因存在有反向连接的二极管而不导通，并且同时从栅极测试垫到源极测试垫方向上也因存在有反向连接的二极管而不导通；以及第二二极管组，连接到漏极测试垫和栅极测试垫之间，其中第二二极管组由多个二极管连接而成，使得从漏极测试垫到栅极测试垫方向上因存在有反向连接的二极管而不导通，并且同时从栅极测试垫到漏极测试垫方向上也因存在有反向连接的二极管而不导通。
一种测试器件

[发明专利]光模块-CN201711190526.0有效
发明人：闫洪平;薛登山;赵其圣;李明;黄锐 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本申请提供的光模块，包括发光芯片和驱动电路，所述发光芯片生长有第一激光二极管和第二激光二极管，所述驱动电路分别与所述第一激光二极管和所述第二激光二极管连接；其中，所述驱动电路，用于在接收到光信号传输信号时，使所述第一激光二极管发射工作波长的光信号；用于在接收到光信号停止信号时，使所述第一激光二极管截止、所述第二激光二极管导通。本申请提供的光模块，在第一激光二极管截止时，第二激光二极管导通，第二激光二极管可以将导通时产生的热传递给第一激光二极管，以稳定第一激光二极管的温度，降低因第一激光二极管的温度漂移所造成的其发射的光信号的波长漂移
模块

[发明专利]一种SiC功率器件-CN201911105062.8有效
发明人：易波;赵青;蔺佳;胡博钧;陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体领域，具体提供一种SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中：对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成N型肖特基二极管或者集成异质结二极管的SiC MOSFET器件，能够降低MOSFET反向导通时的压降，消除少子注入效应，从而降低二极管导通损耗和反向恢复损耗；对于集成PN结体二极管的逆导型SiC IGBT器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗、降低反向恢复尖峰电流，降低EMI噪声；对于集成N型肖特基二极管或者异质结二极管的逆导型SiC IGBT器件，能够降低逆导IGBT反向导通时的压降，消除少子注入效应，降低二极管导通损耗和反向恢复损耗。
一种 sic 功率器件

[发明专利]一种具有低导通压降的P-i-N二极管-CN201210191065.X有效
发明人：陈万军;汪志刚;齐跃;张波;李泽宏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-12 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：一种具有低导通压降的P-i-N二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在二极管中引入由槽栅结构和JFET结构所组成载流子注入模式控制结构。通过施加栅极电压脉冲调制二极管的注入模式，使二极管分别工作在P-i-N模式和零结模式下，以达到降低二极管导通压降的目的。本发明所述的二极管在具有常规P-i-N二极管的高阻断电压和低漏电流优势的同时，能够获得更低的导通压降和更快的反向恢复速度，进而大幅度降低二极管在电路应用中产生的功耗。
一种具有低导通压降二极管

[实用新型]用于供电线路中的过电压保护的装置-CN201520963596.5有效
发明人： J·厄尔捷;G·鲍格里内;M·罗维瑞 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：该装置可以包括导通二极管、与所述导通二极管串联耦合的雪崩二极管以及与所述导通二极管和所述雪崩二极管并联耦合的开关。该装置还可以包括被跨所述雪崩二极管而耦合并被配置为控制所述开关的电路。
用于供电线路中的过电压保护装置

[发明专利]触控显示装置-CN202210259876.2在审
发明人：张智明 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控显示装置包括多个发光二极管单元及多个切换开关。每个发光二极管单元包括发光二极管及光感测器。该多个切换开关电性耦接于该多个发光二极管单元。在该多个切换开关的导通者的导通周期中，与导通者耦接的发光二极管及光感测器于不同时致能。
显示装置

[实用新型]一种CT带电回路二次试验防开路的二次电流端子-CN202222626747.0有效
发明人：罗玉春;杨晓杰;张世现;李凌;陈宏;杨成亮;敬炳侠;邱安芬;孟建锋;孔垂胜;汪杉;范根;燕朋明;戴思源;刘秋杏;余波江 -专利权人：云南电网有限责任公司昭通供电局
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电流端子技术领域，具体为一种CT带电回路二次试验防开路的二次电流端子，包括端子主体，用于进行电路的断开和连接；金属接电线板，用于正常接入压紧电流二次接电线；二极管，正常运行时，二极管不会导通，当短接电线断裂、虚接或误拆时，二极管能够快速导通。正常运行时,该二极管被电流端子短接不会导通，不影响二次电流的正常传输。在CT二次电流回路中对相应装置试验，打开电流端子连接片时，二极管不会导通，保障了试验的准确性和CT二次不开路。当误拆短接线或短接线出现断裂、虚接造成开路时，二极管两端的电压会迅速升高达到二极管的导通电压，此时二极管导通，从而防止二次电流开路出现过电压，从而保障人生和设备安全。
一种 ct 带电回路二次试验开路电流端子

[发明专利]高频开关及其制造方法-CN200580032361.3有效
发明人：上岛孝纪;中山尚树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H04B1/44 文献下载
摘要：通过连接作为开关元件的第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、电感器(SL1、SL2)、电容器(C5、C6)以及电阻(R)来构成一种高频开关(11)。在“导通”状态下具有相对较小电荷容量的二极管被用作第一二极管，而在“导通”状态下具有相对较大电荷容量的二极管被用作第二二极管。即，具有不同零件号的二极管分别被用作第一二极管和第二二极管，并且具有相对较小电荷存储量的零件号的二极管被用作第一二极管，具有相对较大电荷存储量的零件号的二极管被用作第二二极管。或者，可以测量“导通”状态下同批二极管的电荷存储量并将其分类，具有相对较小电荷存储量的二极管被用作第一二极管而具有相对较大电荷存储量的二极管被用作第二二极管。
高频开关及其制造方法

[实用新型]一种具有抗干扰能力的光MOS继电器-CN202220176197.4有效
发明人：李晓娇;李强;蹇兰 -专利权人：贵州航天电器股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H03K17/785 文献下载
摘要：一种具有抗干扰能力的光MOS继电器，包括发光二极管、光伏二极管阵列MOS管和电阻；电阻并联在发光二极管上；发光二极管的正极与外部输入正极电气连接；发光二极管的负极与外部输入负极电气连接；发光二极管与光伏二极管阵列隔离耦合；光伏二极管阵列的正极与MOS管的栅极连接，MOS管的漏极与外部的输出正极电气连接；光伏二极管阵列的负极与MOS管的源极连接后与外部的输出负极电气连接。当输入端加电时，发光二极管的导通压降为V导通，电阻与发光二极管并联，流经电阻的电流I电阻＝V导通/R，输入接通电流I＝I电阻+I二极管，根据需要的输入接通电流，选择合适的电阻；在输入接通电压不变的情况下，提高了输入接通电流，避免了干扰电流造成产品误导通。
一种具有抗干扰能力 mos 继电器

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