[发明专利]通孔结构及其方法在审
| 申请号： | 201811062963.9 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109786346A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：具有沟道区的衬底；位于沟道区上方的栅极堆叠件；覆盖栅极堆叠件的侧壁的密封间隔件，密封间隔件包括氮化硅；覆盖密封间隔件的侧壁的栅极间隔件，栅极间隔件包括氧化硅，栅极间隔件具有第一垂直部分和第一水平部分；以及覆盖栅极间隔件的侧壁的第一介电层，第一介电层包括氮化硅。本发明的实施例还涉及通孔结构及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极间隔 侧壁 密封间隔 通孔结构 栅极堆叠 氮化硅 沟道区 介电层 半导体器件 覆盖密封 间隔件 氧化硅 衬底 覆盖 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；第二介电层，位于所述第一介电层上方，所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的材料组分；以及通孔，延伸穿过所述第二介电层和所述第一介电层，所述通孔具有由所述第二介电层围绕的上部和由所述第一介电层围绕的下部，所述通孔的下部的底面面积大于所述通孔的上部的最小横截面积。
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