[发明专利]通孔结构及其方法在审
| 申请号： | 201811062963.9 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109786346A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极间隔 侧壁 密封间隔 通孔结构 栅极堆叠 氮化硅 沟道区 介电层 半导体器件 覆盖密封 间隔件 氧化硅 衬底 覆盖 垂直 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一介电层，位于所述衬底上方；
第二介电层，位于所述第一介电层上方，所述第一介电层和所述第二介电层具有不同的材料组分；以及
通孔，延伸穿过所述第二介电层和所述第一介电层，所述通孔具有由所述第二介电层围绕的上部和由所述第一介电层围绕的下部，所述通孔的下部的底面面积大于所述通孔的上部的最小横截面积。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层包括具有第一含铝材料的第一子层和具有第二含铝材料的第二子层，所述第一含铝材料和所述第二含铝材料不同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一介电层还包括具有氧掺杂碳化硅的第三子层，并且其中，所述第三子层插入在所述第一子层和所述第二子层之间。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一含铝材料包括氮化铝，并且所述第二含铝材料包括氧化铝。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一子层比所述第二子层更薄。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一子层与所述衬底物理接触。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔的下部的至少部分具有比所述通孔的下部的底面面积更大的横截面积。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通孔的下部具有圆角。
9.一种集成电路结构，包括：
衬底；
蚀刻停止层，位于所述衬底上方；
低k介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及
导电部件，延伸穿过所述低k介电层和所述蚀刻停止层，其中，所述导电部件具有位于所述低k介电层中的上部和位于所述蚀刻停止层中的下部，其中，所述下部具有位于所述蚀刻停止层的顶面下方的最大横截面积。
10.一种制造集成电路的方法，包括：
在衬底上方沉积缓冲层；
在所述缓冲层上方沉积介电层；
去除所述介电层的部分以形成开口；
通过所述开口蚀刻所述缓冲层，从而穿过所述缓冲层延伸所述开口并且暴露所述开口中的所述衬底的表面，其中，所述缓冲层的蚀刻包括各向同性蚀刻或横向蚀刻；以及
用导电部件填充所述开口。
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