[发明专利]半导体存储器的制备方法及半导体存储器在审
| 申请号： | 201811043856.1 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110890366A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 刘铁 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储器的制备方法及半导体存储器。该半导体存储器的制备方法包括：提供基体；在所述基体上形成待离子注入的第一装置、第二装置及第三装置；采用第一光罩罩盖所述第三装置，以对所述第一装置及所述第二装置进行图形化处理；将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，所述第一装置与所述第二装置中同种离子的注入剂量相同。该技术方案可缩短半导体存储器生产周期，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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