[发明专利]半导体存储器的制备方法及半导体存储器

说明书

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储器的制备方法及半导体存储器。该半导体存储器的制备方法包括：提供基体；在所述基体上形成待离子注入的第一装置、第二装置及第三装置；采用第一光罩罩盖所述第三装置，以对所述第一装置及所述第二装置进行图形化处理；将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，所述第一装置与所述第二装置中同种离子的注入剂量相同。该技术方案可缩短半导体存储器生产周期，降低生产成本。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体存储器的制备方法及半导体存储器。

背景技术

相关技术中，DRAM(Dynamic Random Access Memory，即动态随机存取存储器)等半导体存储器包括多种类型的控制器件，且不同类型的控制器件单独进行电性调节，即：不同类型的控制器件单独进行离子注入工艺，这样在生产半导体器件时，导致离子注入的步骤增加，从而导致半导体存储器生产周期延长，生产成本提高。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种半导体存储器的制备方法及半导体存储器，可缩短半导体存储器生产周期，降低生产成本。

本申请第一方面提供了一种半导体存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基体；

在所述基体上形成待离子注入的第一装置、第二装置及第三装置；

采用第一光罩罩盖所述第三装置，以对所述第一装置及所述第二装置进行图形化处理；

将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，所述第一装置与所述第二装置中同种离子的注入剂量相同。

在本申请的一种示例性实施例中，所述将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，包括：

将多种离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置。

在本申请的一种示例性实施例中，所述多种离子包括：

至少一种同剂量离子，所述同剂量离子为所述第一装置与所述第二装置中所需剂量相同的同种离子；

至少一种差剂量离子，所述差剂量离子为所述第一装置与所述第二装置中所需剂量不同的同种离子。

在本申请的一种示例性实施例中，所述将多种离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置，包括：

将所述同剂量离子及所述差剂量离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置；

其中，所述第一装置及所述第二装置中差剂量离子的注入剂量为所述第一装置及所述第二装置中所需剂量相对小的一者的所需剂量。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一装置中差剂量离子的所需剂量小于所述第二装置中差剂量离子的所需剂量，且所述第二装置中差剂量离子的所需剂量与所述第一装置中差剂量离子的所需剂量之间的差值为差值剂量。

在本申请的一种示例性实施例中，所述在将所述差剂量离子按照所述第一装置及所述第二装置中所需剂量相对小的一者的所需剂量同时注入至所述第一装置及所述第二装置之后，还包括：

采用第二光罩罩盖所述第一装置，以对所述第二装置继续进行图形化处理

将所述差剂量离子按照所述差值剂量注入所述第二装置中。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一装置包括NMOS低压装置、NMOS高压装置、读出放大装置中的一种或多种；