[发明专利]半导体存储器的制备方法及半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基体；

在所述基体上形成待离子注入的第一装置、第二装置及第三装置；

采用第一光罩罩盖所述第三装置，以对所述第一装置及所述第二装置进行图形化处理；

将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，所述第一装置与所述第二装置中同种离子的注入剂量相同。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将至少一种离子同时注入至所述第一装置及所述第二装置，包括：

将多种离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述多种离子包括：

至少一种同剂量离子，所述同剂量离子为所述第一装置与所述第二装置中所需剂量相同的同种离子；

至少一种差剂量离子，所述差剂量离子为所述第一装置与所述第二装置中所需剂量不同的同种离子。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述将多种离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置，包括：

将所述同剂量离子及所述差剂量离子按照注入顺序依次同时注入至所述第一装置及所述第二装置；

其中，所述第一装置及所述第二装置中差剂量离子的注入剂量为所述第一装置及所述第二装置中所需剂量相对小的一者的所需剂量。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，

所述第一装置中差剂量离子的所需剂量小于所述第二装置中差剂量离子的所需剂量，且所述第二装置中差剂量离子的所需剂量与所述第一装置中差剂量离子的所需剂量之间的差值为差值剂量。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述在将所述差剂量离子按照所述第一装置及所述第二装置中所需剂量相对小的一者的所需剂量同时注入至所述第一装置及所述第二装置之后，还包括：

采用第二光罩罩盖所述第一装置，以对所述第二装置继续进行图形化处理

将所述差剂量离子按照所述差值剂量注入所述第二装置中。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述第一装置包括NMOS低压装置、NMOS高压装置、读出放大装置中的一种或多种；

所述第二装置包括NMOS低压装置、NMOS高压装置、读出放大装置中的一种或多种；

所述第三装置包括NMOS低压装置、NMOS高压装置、读出放大装置中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

所述至少一种同剂量离子包括氟离子、碳离子、砷离子、二氟化硼离子中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

所述至少一种差剂量离子包括氟离子、碳离子、砷离子、二氟化硼离子中的一种或多种。

10.一种半导体存储器，其特征在于，采用权利要求1至9中任一项所述的半导体存储器的制备方法制备而成。