[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底，包括第一堆叠结构、贯穿第一堆叠结构的第一沟道孔结构，第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；在所述半导体层表面形成氧化层；在凹槽内形成位于氧化层表面的刻蚀停止层；在第一堆叠结构表面及刻蚀停止层表面形成第二堆叠结构；刻蚀第二堆叠结构形成贯穿第二堆叠结构的第二沟道孔；去除刻蚀停止层，暴露出氧化层；在第二沟道孔侧壁表面形成第二功能侧墙，并刻蚀部分氧化层，暴露出第二沟道孔底部的半导体层；在第二功能侧墙和暴露的半导体层表面形成第二沟道层。上述方法能够提高半导体层的质量，从而半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一堆叠结构、贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔结构，所述第一沟道孔结构顶部还形成有半导体层和位于所述半导体层上的凹槽；在所述半导体层表面形成氧化层；在所述凹槽内形成位于所述氧化层表面的刻蚀停止层；在所述第一堆叠结构表面及所述刻蚀停止层表面形成第二堆叠结构；刻蚀所述第二堆叠结构至所述刻蚀停止层，形成贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔；去除所述刻蚀停止层，暴露出所述氧化层；在所述第二沟道孔侧壁表面形成第二功能侧墙，并刻蚀部分氧化层，暴露出第二沟道孔底部的半导体层；在所述第二功能侧墙和暴露的半导体层表面形成第二沟道层。