[发明专利]半导体封装件和方法有效
| 申请号： | 201810584283.7 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109786350B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈威宇;苏安治;叶德强;黄立贤;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，一种器件包括：集成电路管芯；位于集成电路管芯上方的第一介电层；延伸穿过第一介电层以电连接至集成电路管芯的第一金属化图案；位于第一金属化图案上方的第二介电层；延伸穿过第二介电层的凸块下金属；位于二介电层和凸块下金属的部分上方的第三介电层；密封第三介电层和凸块下金属的界面的导电环；以及延伸穿过导电环的中心的导电连接件，导电连接件电连接至凸块下金属。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：集成电路管芯；第一介电层，位于所述集成电路管芯上方；第一金属化图案，延伸穿过所述第一介电层以电连接至所述集成电路管芯；第二介电层，位于所述第一金属化图案上方；凸块下金属，延伸穿过所述第二介电层；第三介电层，位于所述第二介电层和所述凸块下金属的部分上方；导电环，密封所述第三介电层和所述凸块下金属的界面；以及导电连接件，延伸穿过所述导电环的中心，所述导电连接件电连接至所述凸块下金属。
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