[发明专利]半导体封装件和方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

集成电路管芯；

第一介电层，位于所述集成电路管芯上方；

第一金属化图案，延伸穿过所述第一介电层以电连接至所述集成电路管芯；

第二介电层，位于所述第一金属化图案上方；

凸块下金属，延伸穿过所述第二介电层，其中，所述凸块下金属具有第一半径；

第三介电层，位于所述第二介电层和所述凸块下金属的部分上方；

导电环，密封所述第三介电层和所述凸块下金属的界面；以及

导电连接件，延伸穿过所述导电环的中心，所述导电连接件电连接至所述凸块下金属，所述导电连接件具有第二半径，所述第二半径小于所述第一半径；以及

焊剂，位于所述凸块下金属上，所述焊剂邻接所述导电环的内侧壁，并且通过所述导电环与所述第三介电层和所述凸块下金属的嵌入所述第三介电层中的部分之间的另一界面间隔开。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，

所述导电连接件位于所述焊剂上。

3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述导电环将所述导电连接件与所述第一介电层分离。

4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述凸块下金属延伸穿过所述第二介电层中的开口，所述凸块下金属具有第一半径，所述开口具有小于所述第一半径的第三半径。

5.根据权利要求4所述的封装件，其中，所述导电环围绕所述开口，所述导电环是具有外半径和内半径的环形形状，所述外半径和所述内半径之间的差值为从30μm至50μm。

6.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述凸块下金属的第一半径大于所述导电环的外半径。

7.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述开口的第三半径大于所述导电环的内半径并且小于所述导电环的外半径。

8.根据权利要求5所述的封装件，其中，所述凸块下金属的第一半径大于所述开口的第三半径。

9.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述导电环沿着所述第三介电层和所述凸块下金属的顶面延伸。

10.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述导电环和所述凸块下金属包括不同的导电材料。

11.一种封装件，包括：

集成电路管芯；

贯通孔，与所述集成电路管芯相邻；

密封剂，围绕所述贯通孔和所述集成电路管芯；以及

再分布结构，包括：

第一金属化图案，位于第一介电层上，第一介电层设置在所述密封剂上，所述第一金属化图案延伸穿过所述第一介电层以电连接所述贯通孔；

凸块下金属，位于第二介电层上，所述第二介电层设置在所述第一介电层上，所述凸块下金属延伸穿过所述第二介电层中的开口以电连接至所述第一金属化图案，其中，所述凸块下金属具有第一半径；以及

导电环，位于第三介电层上，所述第三介电层设置在所述第二介电层上，所述导电环密封所述第三介电层和所述凸块下金属的界面，其中，所述导电环围绕所述开口，所述导电环是具有外半径和内半径的环形形状，所述外半径和所述内半径之间的差值为从30μm至50μm；

导电连接件，位于所述凸块下金属和所述导电环上，所述导电环将所述导电连接件与所述第三介电层分离，其中，所述导电连接件具有第二半径，所述第二半径小于所述第一半径。

12.根据权利要求11所述的封装件，还包括：

第一金属间化合物，位于所述导电连接件和所述凸块下金属的界面处；以及

第二金属间化合物，位于所述导电环和所述导电连接件的界面处。

13.根据权利要求12所述的封装件，还包括：

通过所述导电连接件电连接且物理连接至所述再分布结构的衬底。