[发明专利]一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法在审

申请号：	201810471900.2	申请日：	2018-05-17
公开（公告）号：	CN108615689A	公开（公告）日：	2018-10-02
发明（设计）人：	殷祚炷;郭孟娇;孙凤莲	申请（专利权）人：	哈尔滨理工大学
主分类号：	H01L21/603	分类号：	H01L21/603;H01L23/488
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	150080 黑龙***	国省代码：	黑龙江;23
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摘要：	一种快速制备用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的加工工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。
搜索关键词：	封装功率器件制备三明治结构箔片清洗电子封装技术超声清洗焊接压力快速制备连接过程施加压力无水乙醇焊机晾干耐高温小压力助焊膏放入空冷钎焊热压加热涂抹焊接取出施加
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【主权项】：

1.一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法，其特征在于该方法是通过下列步骤实现：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。

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摘要：本发明提供一种微焊盘上叠加或并排进行自动楔焊的方法，属于微电子技术领域。包括：将第一引线的第一键合点键合在第一基材的焊盘上，并将第一引线的第二键合点键合在第二基材的微焊盘上；采用改进后自动楔焊劈刀，将第二引线的第一键合点键合在第一基材的焊盘上，并将第二引线的第二键合点叠加键合在所述第一引线第二键合点上方或并排键合在第一引线第二键合点的临近位置；重复上述操作直至完成最后一根引线的叠加或并排键合。本发明提供一种利用自动楔焊机在微焊盘上叠加或并排键合至少2根引线的键合方法，可以提高键合引线的覆盖率，并通过合并半导体芯片上相同功能的焊盘，减少输入和输出焊盘数量，进一步缩小半导体芯片尺寸。

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摘要：本申请提出了一种显示模组及其制作方法，该制作方法包括：将目标面板固定于第一承载台上；将控制模组固定于第二承载台上；移动该第一承载台或/和该第二承载台，使该目标面板上的该第一对位引脚与该控制模组上的该第二对位引脚对位；利用压合工艺将该控制模组贴合于该目标面板上。本申请将控制模组及目标面板上的至少一个引脚作为对位标记，降低了控制模组与目标面板的对位难度，提高了控制模组与目标面板的对位精度，提升了面板的品质与良率。

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摘要：本发明涉及一种移件机构及引线键合机。移件机构，包括：安装座；移件体，移件体可活动地设置于安装座上；驱动组件，驱动组件与安装座连接，且驱动组件与移件体驱动连接；及连接组件，连接组件包括第一弹性连接件，第一弹性连接件的一端与安装座连接，第一弹性连接件的另一端与移件体连接，且第一弹性连接件可在移件体活动时发生弹性形变。引线键合机包括如上的移件机构。上述的移件机构及引线键合机中，由于第一弹性连接件的两端分别与移件体及安装座连接，当移件体在转动时，第一弹性连接件会发生弹性形变，若是移件体在摆动过程中出现断电的情况，第一弹性连接件就会自动复原，从而带动移件体回到初始位置。

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发明人：王言虹;王前文;胡胜;孙鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/603
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆键合工艺，包括如下步骤：提供第一晶圆；于所述第一晶圆上表面制备一TEOS层；提供第二晶圆；于所述第二晶圆的上表面形成一氧化层；沉积一氮化硅层以将所述氧化层的上表面予以覆盖；以所述氮化硅层和所述TEOS层为键合面键合所述第一晶圆和所述第二晶圆。本发明通过于第二晶圆的氧化层之上沉积氮化硅层作为第二晶圆与第一晶圆的TEOS层键合的键合面，使得晶圆键合界面处的单位面积化学键浓度增加，从而可以显著提高晶圆键合强度，消除WLCSP封装过程中晶圆键合界面有裂缝的现象，进而可以满足新型WLCSP封装工艺的要求。

晶圆键合的方法以及晶圆键合结构-201410504766.3
发明人：王伟;包德君;陈政;张海芳;戚德奎;李新;张蓓蓓 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/603
摘要：本发明提供一种晶圆键合的方法以及一种晶圆键合结构，所述晶圆键合的方法包括：在晶圆键合工艺之前，在晶圆上形成层间介质层，所述层间介质层包括依次形成的第一介质层和绝缘层；在所述层间介质层中形成互连结构，所述互连结构的一部分凸出于层间介质层表面，为互连结构的贴合端；在贴合端侧壁上形成侧墙。本发明的有益效果在于，所述绝缘层将层间介质层表面完全覆盖，所述侧墙将贴合端侧壁覆盖，对多个晶圆进行键合工艺之后，相邻的贴合端具有绝缘层和侧墙隔断，不容易发生短路。此外，在侧墙的保护下，贴合端没有暴露于外界环境中，不容易受氧气和水汽的影响而形成氧化物，同样减小了短路的风险。

热压接合系统及其操作方法-201510126097.5
发明人： M·B·瓦塞尔曼 -专利权人：库利克和索夫工业公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/603
摘要：提供了一种用于接合半导体元件的热压接合系统。所述热压接合系统包括(1)接合头组件，其包括用于加热要接合的半导体元件的加热器，所述接合头组件包括被配置为接收冷却流体的流体路径；(2)加压冷却流体源；(3)增压泵，其用于接收来自所述加压冷却流体源的加压冷却流体，并且用于增加所接收的加压冷却流体的压力；(4)加压流体储存器，其用于接收来自所述增压泵的加压冷却流体；以及(5)控制阀，其用于对加压冷却流体从所述加压流体储存器向所述流体路径的供应进行控制。

打线工具-201710261140.8
发明人：陈泰甲;古峰锜;何嘉哲 -专利权人：中国砂轮企业股份有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/603
摘要：本发明公开了一种打线工具，包含一工作座；一结合层，设置在该工作座的一侧；一第一钻石层，以一化学气相沉积法形成在该结合层远离该工作座的一侧并直接接触该结合层，该第一钻石层具有一单一层结构；以及一打线头，设置在该第一钻石层远离该结合层的一侧并直接接触该第一钻石层，且该打线头是由一钻石微粉与一碳化硅微粉经由一烧结处理而形成。该第一钻石层不仅有助强化该工作座与该打线头之间的接合，同时减少高温下该打线工具的工作面变形程度，进而提升该打线工具的寿命。

半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件-201310689036.0
发明人：胡毓祥;刘重希 -专利权人： IMEC公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L21/603
摘要：本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明，提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底（1）接合到第二半导体衬底（2）的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前，原位地机械摩擦金属接触结构表面（3），从而平坦化并去除金属接触结构表面（3）上的氧化物和/或污染物。在热压接合步骤之后是热退火步骤，用于创建所述第一半导体衬底（1）和第二半导体衬底（2）的金属接触结构3之间的界面扩散。

替换毛细管的方法-201810295165.4
发明人：金营式;金斗珍;李锡浩;黄永坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/603
摘要：一种替换包括持拿毛细管的持拿单元的引线键合装置的毛细管的方法包括响应于从引线键合装置接收替换开始信号通过移动机器人将毛细管替换单元传送到引线键合装置、通过毛细管替换单元使与替换开始信号对应的毛细管与引线键合装置分离、以及通过毛细管替换单元将新毛细管安装在引线键合装置中。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备方法在审

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