[发明专利]薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置

摘要

本发明提供可靠性高的薄膜晶体管基板、上述薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置。本发明的薄膜晶体管基板具备：绝缘基板；栅极电极，其配置在绝缘基板上；栅极绝缘层，其覆盖栅极电极；氧化物半导体层，其配置在栅极绝缘层上的与栅极电极的一部分重叠的位置；层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层的上表面和侧面；以及源极电极和漏极电极，其配置在层间绝缘层上，在层间绝缘层中，从氧化物半导体层侧按顺序层叠第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层，在俯视时与氧化物半导体层重叠的区域具有第一开口部和第二开口部，其中，源极电极和氧化物半导体层在第一开口部接触，漏极电极和氧化物半导体层在第二开口部接触，蚀刻液对第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层的蚀刻速率具有特定的关系。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，具备：绝缘基板；栅极电极，其配置在上述绝缘基板上；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其配置在上述栅极绝缘层上的与上述栅极电极的一部分重叠的位置；层间绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层的上表面和侧面；以及源极电极和漏极电极，其配置在上述层间绝缘层上，在上述层间绝缘层中，从上述氧化物半导体层侧按顺序层叠第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层，在俯视时与上述氧化物半导体层重叠的区域具有第一开口部和第二开口部，其中，上述源极电极和上述氧化物半导体层在上述第一开口部接触，上述漏极电极和上述氧化物半导体层在上述第二开口部接触，蚀刻液对上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、对上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及对上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER2＜ER1且ER3≤ER1的关系。