[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201911013072.9 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110690170A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 熊俊杰;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板以及位于衬底基板上的多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，多晶硅薄膜晶体管与金属氧化半导体薄膜晶体管间隔设置，多晶硅薄膜晶体管位于第一区域，用于控制金属氧化物薄膜晶体管，金属氧化物薄膜晶体管位于第二区域，用于驱动像素电极，多晶硅薄膜晶体管为顶栅结构，金属氧化物薄膜晶体管为底栅结构。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板同时采用多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，分区域设计，工艺上兼容，有效地解决了多晶硅薄膜晶体管的技术瓶颈，使其能应用于大尺寸显示面板，同时能有效降低显示面板的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅薄膜晶体管 金属氧化物薄膜晶体管 阵列基板 显示面板 衬底基板 大尺寸显示面板 金属氧化半导体 薄膜晶体管 底栅结构 第二区域 第一区域 顶栅结构 技术瓶颈 间隔设置 像素电极 分区域 有效地 功耗 制作 兼容 驱动 应用 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上沉积缓冲层，并对所述缓冲层进行一次高温退火工艺，接着沉积非晶硅层，并对所述非晶硅层进行高温退火，使所述非晶硅层形成多晶硅层，通过第一次光刻，使所述多晶硅层形成位于第一区域的第一半导体层；/n依次沉积栅极绝缘层、栅金属层，通过第二次光刻，使所述栅金属层形成位于第一区域的第一栅极和位于第二区域的第二栅极；/n依次沉积栅极保护层、金属氧化物半导体层，通过第三次光刻，使所述金属氧化物半导体层形成位于第二区域的第二半导体层；/n沉积第一保护层，通过第四次光刻，在所述第一保护层、所述栅极保护层上和所述栅极绝缘层上形成多个第一过孔，在所述第一保护层上形成多个第二过孔；/n沉积源漏金属层，通过第五次光刻，使所述源漏金属层形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔与所述第一半导体层连通，所述第二源极和所述第二漏极分别通过所述第二过孔与所述第二半导体层连通。/n
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- 许勇;宋德伟 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2019-09-23 - 2019-12-27 - H01L21/77
- 本申请提供一种阵列基板及其制备方法，本申请的阵列基板上形成有钝化层、金属层以及光刻胶，采用半色调掩膜工艺进行光刻制程，在形成钝化层过孔后，仅保留待制备的顶电极膜层需要被去除部分相应位置的光刻胶，形成光刻胶图块；接着蚀刻金属层以形成位于光刻胶图块下方的金属图块，其中光刻胶图块与金属图块的组合形成底切结构；在制备顶电极膜层时，顶电极膜层需要被去除掉的部分形成于光刻胶图块表面，需要保留的部分无需使用光罩便可直接形成于钝化层上从而形成预设图案的顶电极层，之后剥离光刻胶图块以及金属图块，与此同时顶电极膜层需要被去除掉的部分与光刻胶图块一同被剥离。
- 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板-201911014174.2
- 刘翔;孙学军;李广圣;马群 - 成都中电熊猫显示科技有限公司
- 2019-10-23 - 2019-12-27 - H01L21/77
- 本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上沉积金属氧化物半导体层，并进行第一次光刻工艺，以在衬底基板上形成金属氧化物半导体图形；在形成有金属氧化物半导体图形的衬底基板上依次沉积透明导电层和源漏极金属层，并进行第二次光刻工艺，以形成像素电极、源极以及漏极；在形成有像素电极、源极以及漏极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层和栅极金属层，并进行第三次光刻工艺，以形成第一过孔和栅极，其中，第一过孔贯穿栅极绝缘层、并延伸到源极和漏极上。本发明能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。
- 显示面板的制备方法及显示面板-201910762076.0
- 胡泉;李松杉 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
- 2019-08-19 - 2019-12-24 - H01L21/77
- 本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板，该方法包括：提供玻璃基板，在所述玻璃基板上制备缓冲层；在所述缓冲层上制备第一半导体层，以形成开关薄膜晶体管，所述第一半导体层由金属氧化物制成。本发明提供的显示面板制备方法通过将显示面板中开关薄膜晶体管对应设置的第一半导体层材料换为金属氧化物，由于金属氧化物可以提高电流中载流子的移动速率，进而提高电流的移动速度，所以可以大大提高开关薄膜晶体管的在暗态显示时的放电速度，使得开关薄膜晶体管在关态下的漏电流大大减小，从而降低开关薄膜晶体管的关态电流对驱动薄膜晶体管的影响，改善显示面板在关态时的亮点问题。
- 阵列基板及其制备方法-201910777809.8
- 刘汉辰 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2019-08-22 - 2019-12-24 - H01L21/77
- 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制备方法，相较于传统制备工艺，首先制备第一镀层，然后再镀层上制备第一光刻胶。本发明通过采用上述制备方法，首先在衬底基板上制备第一光刻胶层，且将所述第一光刻层进行图案化处理，然后在经过图案化处理后的第一光刻胶层上制备第一镀层，即在现有制程的基础上，调整了制备薄膜晶体管镀层和光刻胶的顺序，因此可以直接将所述第一镀层进行图案化处理，避免了后期需要将所述第一镀层进行图案化的刻蚀制程，从而省略了构图工艺中的刻蚀制程，使得制备工序简洁化，有效提高产品生产效率，降低成本。
- 用于4M制程制备TFT的光罩及4M制程TFT阵列制备方法-201710180169.3
- 刘晓娣 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 2017-03-22 - 2019-12-24 - H01L21/77
- 本发明提供一种用于4M制程制备TFT的光罩及4M制程TFT阵列制备方法。本发明用于4M制程制备TFT的光罩，其中，在该光罩的TFT版图结构中，邻近TFT图案外缘设有沿TFT图案外缘走向设置的线条图案。本发明还提供了相应的4M制程TFT阵列制备方法，使用本发明的光罩作为第二道光罩制程的光罩。本发明用于4M制程制备TFT的光罩通过改变光罩的边缘曝光实现边缘偏薄的结构，进而使得该结构比较易于等离子体刻蚀，从而减少第二层金属边缘有不定形硅和重掺杂硅残留问题；本发明的4M制程TFT阵列制备方法，将本发明的光罩结合匹配的4M制程，减少第二层金属边缘有不定形硅和重掺杂硅残留问题。
- TFT基板及其制作方法-201710067453.X
- 刘元甫 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2017-02-07 - 2019-12-24 - H01L21/77
- 本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的制作方法，采用顶栅极结构制作TFT基板，整个制程使用七道光罩完成，与现有技术相比，有效减少光罩的使用数量，简化TFT基板的制作流程，同时有效提升产品良率，提高产能；通过一次离子掺杂工艺同时实现离子重掺杂制程与离子轻掺杂制程，可节约生产成本；通过采用离子重掺杂半导体图案的两端形成源极与漏极，不仅可以减少工艺流程，而且制得的源极与漏极无需经过层间介电层的过孔与有源层两端接触，可有效降低接触电阻，提高产品良率。本发明的TFT基板，采用顶栅极结构，整个TFT基板使用七道光罩即可制作完成，与现有技术相比，光罩的使用数量较少，TFT基板的制作流程简单，且产品良率与产能较高。
- OLED背板的制作方法-201711004263.X
- 刘方梅 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 2017-10-24 - 2019-12-24 - H01L21/77
- 本发明提供一种OLED背板的制作方法。该方法通过依次沉积第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层，得到薄膜晶体管的有源层，通过使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比大于第二氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比，使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层的氧含量大于第二氧化物半导体层的氧含量，从而提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
