[发明专利]薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，

具备：绝缘基板；栅极电极，其配置在上述绝缘基板上；栅极绝缘层，其覆盖上述栅极电极；氧化物半导体层，其配置在上述栅极绝缘层上的与上述栅极电极的一部分重叠的位置；层间绝缘层，其覆盖上述氧化物半导体层的上表面和侧面；以及源极电极和漏极电极，其配置在上述层间绝缘层上，

在上述层间绝缘层中，从上述氧化物半导体层侧按顺序层叠第一层间绝缘层、第二层间绝缘层以及第三层间绝缘层，在俯视时与上述氧化物半导体层重叠的区域具有第一开口部和第二开口部，其中，上述源极电极和上述氧化物半导体层在上述第一开口部接触，上述漏极电极和上述氧化物半导体层在上述第二开口部接触，

蚀刻液对上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、对上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及对上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER2＜ER1且ER3≤ER1的关系。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER2＜ER3≤ER1的关系。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第三层间绝缘层包含氧化硅或氧氮化硅。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER3＜ER2＜ER1的关系。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第三层间绝缘层包含氮化硅或氧氮化硅。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述氧化物半导体层包含：包含铟、镓、锌以及氧的半导体；包含锌和氧的半导体；包含铟、锌以及氧的半导体；包含锌、钛以及氧的半导体；包含镉、锗以及氧的半导体；包含镉、铅以及氧的半导体；包含氧化镉的半导体；包含镁、锌以及氧的半导体；包含铟、锡、锌以及氧的半导体；或者包含铟、镓、锡以及氧的半导体。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第一层间绝缘层包含氧化硅。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第二层间绝缘层包含氧氮化硅。

9.一种显示装置，其特征在于，

具备权利要求1～8中的任意一项所述的薄膜晶体管基板。

10.一种薄膜晶体管基板的制造方法，是制造具有底栅结构的薄膜晶体管基板的方法，其特征在于，

上述制造方法具有：在氧化物半导体层上形成层间绝缘层的工序；以及在上述层间绝缘层上形成源极电极和漏极电极的工序，

在形成上述层间绝缘层的工序中，以覆盖上述氧化物半导体层的方式形成第一层间绝缘层，在上述第一层间绝缘层上形成第二层间绝缘层，在上述第二层间绝缘层上形成第三层间绝缘层，在俯视时与上述氧化物半导体层重叠的区域，将上述第一层间绝缘层、上述第二层间绝缘层以及上述第三层间绝缘层的一部分除去，形成第一开口部和第二开口部，

在形成上述源极电极和漏极电极的工序中，在上述层间绝缘层、上述第一开口部以及上述第二开口部上形成导电膜，通过湿式蚀刻将上述导电膜图案化，

蚀刻液对上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、对上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及对上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER2＜ER1且ER3≤ER1的关系。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，

上述第一层间绝缘层的蚀刻速率ER1、上述第二层间绝缘层的蚀刻速率ER2以及上述第三层间绝缘层的蚀刻速率ER3具有ER2＜ER3≤ER1的关系。