[发明专利]半导体加工用粘合片在审
| 申请号： | 201780002840.3 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107995997A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 河田晓 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/24;C09J133/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,王博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体加工用粘合片，其在基材膜上具有粘合剂层，基材膜的5％模量为7.0～20.0MPa，基材膜为1层，相对于基础树脂100质量份包含苯乙烯系嵌段共聚物5～39质量份，苯乙烯系嵌段共聚物为选自苯乙烯‑氢化异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑氢化丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯‑氢化异戊二烯/丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物中的至少一种树脂，基础树脂为选自聚丙烯、聚乙烯及其它特定树脂中的至少一种树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 粘合 | ||
【主权项】：
一种半导体加工用粘合片，其为在基材膜上具有粘合剂层的半导体加工用粘合片，其特征在于，所述基材膜的5％模量为7.0MPa～20.0MPa，所述基材膜为1层，相对于基础树脂100质量份包含苯乙烯系嵌段共聚物5～39质量份，所述苯乙烯系嵌段共聚物为选自苯乙烯‑氢化异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑异戊二烯‑苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑氢化丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物和苯乙烯‑氢化异戊二烯/丁二烯‑苯乙烯嵌段共聚物中的至少一种树脂，所述基础树脂为选自聚丙烯、高密度聚乙烯、低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、乙烯‑丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯‑丙烯‑二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯‑(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物、乙烯‑氯乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物、聚苯乙烯、聚氨酯、聚酰胺、离聚物、丁腈橡胶、丁基橡胶、苯乙烯异戊二烯橡胶、苯乙烯‑丁二烯橡胶、天然橡胶及其氢化物或改性物中的至少一种树脂。
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- 坂本刚志;荻原孝文 - 浜松光子学株式会社
- 2015-03-30 - 2018-10-26 - H01L21/301
- 激光加工装置(300)具备激光光源(202)、聚光光学系统(204)、控制部(250)、以及反射型空间光调制器(203)。控制部(250)以及反射型空间光调制器(203)将以从聚光位置沿着激光(L)的光轴朝向激光(L)的入射侧将理想聚光位置仅偏移了规定距离的状态下的像差修正量聚光于该聚光位置的情况下所产生的像差作为基准像差，在最接近加工对象物(1)的表面(3)的第1区域或者距加工对象物(1)的表面(3)的距离为规定距离以下的第1区域形成改质区域时，以成为较基准像差的基准聚光长度长的第1聚光长度并且成为较基准像差的基准聚光强度弱的第1聚光强度的方式调整像差。
- 半导体装置及其制造方法-201510025635.1
- 李柏汉;张恕铭;刘沧宇;何彦仕;刘建宏 - 精材科技股份有限公司
- 2015-01-19 - 2018-10-02 - H01L21/301
- 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置的制造方法包含下列步骤：使用暂时粘着层将载板贴合于晶圆的第一表面上；于晶圆相对第一表面的第二表面上形成布线层、阻隔层与导电结构，而形成半导体元件；从半导体元件的阻隔层切割至载板，使得半导体元件形成至少一子半导体元件；将紫外光照射于子半导体元件，使得暂时粘着层的粘性消失；以及移除子半导体元件的载板。本发明使得晶片上的影像感测元件不易于制程中被污染，且可降低无尘室设备与技术人员的成本。此外，本发明还可省略紫外光胶带的使用，降低制造成本。
- 脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法-201310429653.7
- 田村健太;武田真和;村上健二 - 三星钻石工业股份有限公司
- 2013-09-13 - 2018-09-25 - H01L21/301
- 本发明是有关于一种脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法。本发明可不损伤功能区域而将具有沿纵向及横向整齐排列而形成的功能区域的半导体晶圆裂断。当将半导体晶圆10裂断时预先格子状地形成划线。当进行裂断时，是使用平板状的裂断用治具20。裂断用治具20具有与半导体晶圆10的划线的间距相同间距的格子状的槽23、24，且在由该槽所包围的各区域的中心分别具有保护孔21。而且，以使半导体晶圆10的功能区域与裂断用治具20的保护孔21相对应的方式进行位置对准，沿划线抵压裂断棒33而进行裂断。如此一来，当裂断时功能区域11并不直接与裂断用治具接触，故而可不损伤而将半导体晶圆裂断成多个芯片。
- 切削方法-201510009318.0
- 铃木稔;梶原佑介;平沼千纮;井上高明 - 株式会社迪思科
- 2015-01-08 - 2018-09-11 - H01L21/301
- 本发明提供一种切削方法，其能够良好地对由蓝宝石等难切削材料构成的被加工物进行分割，而不引起切削刀具的异常磨损。切削方法具备切削进给工序、X轴返回进给工序和Z轴摆动工序。在切削进给工序中，使Z轴下降规定的量以将旋转的切削刀具相对于被加工物切入规定的深度，同时使切削刀具和卡盘工作台相对地沿X轴方向以第一进给量进行切削进给，从而沿分割预定线以第一进给量切削被加工物。在X轴返回进给工序中，在实施切削进给工序后，在维持规定的深度的状态下，以比第一进给量少的第二进给量使卡盘工作台和切削刀具相对地沿X轴方向朝向与该切削进给工序相反的方向返回。在Z轴摆动工序中，在任意时刻使旋转的切削刀具进一步下降后立刻上升。
- 半导体加工用带-201680015116.X
- 佐野透;杉山二朗;青山真沙美 - 古河电气工业株式会社
- 2016-03-23 - 2018-08-24 - H01L21/301
- 本发明提供一种拾取性优异的半导体加工用带，其在带收缩工序中热收缩率低，不会产生褶皱，并且切缝宽度充分扩张而芯片位置不会偏移。一种半导体加工用带，其特征在于，具有粘合带，该粘合带具备基材膜和形成于上述基材膜的至少一面侧的粘合剂层，在通过扩展分割粘接剂的工序中，按照JIS7162中规定的方法，上述粘合带在10％的拉伸伸长率时的仅基材的应力与粘合带的应力的关系如下：粘合带的应力/仅基材的应力＝1以下。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
