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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201880069262.X有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)，将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线，进一步于260℃加热5分钟后所测定的光泽度值(G2)相对于将所述保护膜形成用膜(13)贴附于半导体晶圆并照射能量射线后所测定的光泽度值(G1)的降低率(G1‑G2)/G1×100为30％以下。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201880068603.1有效
发明人： 稻男洋一;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用膜(13)，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜(13)与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上，对所述保护膜形成用膜(13)照射紫外线而制成保护膜时，该保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780019966.1有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，至少一侧的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。优选所述表面(α)的表面粗糙度(Ra)为2.0μm以下。
保护膜形成复合

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780020935.8有效
发明人：米山裕之;稻男洋一;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性，在照射能量射线而制成保护膜时，保护膜的拉伸弹性模量为1×108Pa以上。保护膜形成用复合片具有支撑片、并在支撑片上具有该保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，保护膜与支撑片之间的粘着力为50～1500mN/25mm。
保护膜形成复合

[发明专利]保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及半导体装置的制造方法-CN201780025593.9有效
发明人：小桥力也;稻男洋一;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用复合片，其通过在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成，该支撑片在周缘部附近的区域具有遮光层。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法以及装置

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780025391.4有效
发明人： 稻男洋一;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，在半导体晶圆(18)贴附能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)后，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化，接着，对半导体晶圆(18)进行切割。对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而制成保护膜(13’)时，保护膜(13’)的拉伸弹性模量为500MPa以上。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
保护膜半导体芯片制造方法装置

[发明专利]带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法-CN201780025300.7有效
发明人： 稻男洋一;佐藤明德 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，对依次具备支撑片(10)、能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)及半导体晶圆(18)的层叠体的半导体晶圆(18)进行切割，接着，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。
保护膜半导体芯片制造方法装置

[发明专利]保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN202111233131.0有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B32B27/00 文献下载
摘要：本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]切割片-CN201910444689.X有效
发明人：佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。
切割

[发明专利]保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法-CN201780014930.4有效
发明人：古野健太;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成用膜，该保护膜形成用膜同时满足以下条件：条件(1)：波长为1342nm的激光的透过率为45％以上；条件(2)：波长为1250nm的激光的透过率为35％以上。保护膜形成用复合片具备支撑片，并在支撑片上具备该保护膜形成用膜。
保护膜形成复合半导体芯片制造方法

[发明专利]保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片-CN201780011923.9有效
发明人： 稻男洋一;小桥力也 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种可在半导体晶圆或半导体芯片的背面形成保护膜、并具有高弹性模量的保护层的、能量射线固化性的保护膜形成用膜。本发明的保护膜形成用膜13为能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用膜13的拉伸弹性模量为30MPa以上。
保护膜形成以及复合

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780011276.1有效
发明人：小桥力也;稻男洋一 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，在对保护膜形成用膜照射能量射线从而形成保护膜时，所述保护膜的至少一侧的表面(β)的表面粗糙度(Ra)为0.038μm以上。
保护膜形成复合

[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片-CN201780011114.8有效
发明人：小桥力也;稻男洋一;山本大辅 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明涉及一种能量射线固化性的保护膜形成用膜，其含有平均粒径为0.08～15μm的填充材料，相对于所述保护膜形成用膜的质量，所述填充材料的含量为5～83质量％。
保护膜形成复合

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片、保护膜形成用复合片、及装置的制造方法-CN202210305547.7在审
发明人：中石康喜;佐藤明德;稻男洋一;山下茂之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种即使在经过回流焊处理等加热工序的情况下印字的识别性仍高的保护膜形成膜、具备该保护膜形成膜的保护膜形成用片、保护膜形成用复合片及带保护膜的工件加工物、以及具备带保护膜的工件加工物等的装置的制造方法。所述保护膜形成膜用于形成保护膜，其中，保护膜形成膜具有印字贯穿层与印字识别层，在CIE1976L*a*b*色空间中，于260℃加热5分钟后的印字贯穿层与印字识别层的色差为50以上。
保护膜形成复合装置制造方法

[发明专利]保护膜形成膜、保护膜形成用片及加工物的制造方法-CN201910265151.2有效
发明人：佐伯尚哉;稻男洋一;山本大辅;米山裕之 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-09-03 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
保护膜形成加工制造方法

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