[发明专利]一种半导体芯片的封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201711454291.1 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107910307B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214400 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其硅基本体的上方设置再布线金属层Ⅰ，在所述输入/输出端Ⅰ设置金属柱，所述包封层包裹金属柱和再布线金属层Ⅰ的裸露面以及硅基本体的侧壁，并露出金属柱的上表面，所述介电层设置在包封层的上表面，并开设介电层开口露出金属柱的上表面，所述介电层的上表面设置再布线金属层Ⅱ，所述再布线金属层Ⅱ通过介电层开口与金属柱固连，所述输入/输出端Ⅱ设置在金属柱的垂直区域之外，所述保护层填充再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露面并露出连接件的上表面；所述包封层于硅基本体至介电层的厚度H＞40微米。提供了一种有效保护芯片的封装结构及其封装方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 封装 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片的封装结构的封装方法，其实施步骤如下：/n步骤一、提供硅基晶圆，其正面有钝化层并嵌有芯片电极，钝化层开口露出芯片电极的上表面，并设有切割道；/n通过干法刻蚀方法沿切割道刻蚀硅基晶圆形成沟槽，沟槽不穿透硅基晶圆，硅基晶圆的背面仍旧连接，或用刀片直接切割形成沟槽；/n步骤二、在硅基晶圆正面依次通过溅射、光刻、电镀制作再布线金属层Ⅰ和输入/输出端Ⅰ；/n步骤三、在再布线金属层Ⅰ的上表面依次通过溅射、光刻、电镀方式形成高度大于40微米的金属柱，所述金属柱与输入/输出端Ⅰ固连；/n步骤四、用包封料通过层压方式包封金属柱、再布线金属层Ⅰ和沟槽以及硅基晶圆的裸露部分，形成包封层；/n步骤五、研磨包封层露出金属柱的上表面；/n步骤六、在上述包封层上覆盖介电层，并形成介电层开口，露出金属柱的上表面；/n步骤七、在介电层的上表面依次通过溅射、光刻、电镀形成再布线金属层Ⅱ和输入/输出端Ⅱ；/n步骤八、用保护层通过层压方式保护再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露部分，并形成保护层开口露出输入/输出端Ⅱ，在输入/输出端Ⅱ形成焊球，完成硅基晶圆正面的包封工艺；/n步骤九、对硅基晶圆背面进行研磨减薄，减薄至露出沟槽的底部，并对减薄后的硅基晶圆的背面用硝酸、氢氟酸这些强酸进行腐蚀，再用弱碱性清洁的方法，形成较利于背面金属层粘结紧密的背面预处理面；/n步骤十、在背面预处理面贴上背胶膜形成背面保护层；/n步骤十一、进行切割形成单颗半导体芯片封装结构。/n
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