[发明专利]一种半导体芯片的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的封装结构的封装方法，其实施步骤如下：

步骤一、提供硅基晶圆，其正面有钝化层并嵌有芯片电极，钝化层开口露出芯片电极的上表面，并设有切割道；

通过干法刻蚀方法沿切割道刻蚀硅基晶圆形成沟槽，沟槽不穿透硅基晶圆，硅基晶圆的背面仍旧连接，或用刀片直接切割形成沟槽；

步骤二、在硅基晶圆正面依次通过溅射、光刻、电镀制作再布线金属层Ⅰ和输入/输出端Ⅰ；

步骤三、在再布线金属层Ⅰ的上表面依次通过溅射、光刻、电镀方式形成高度大于40微米的金属柱，所述金属柱与输入/输出端Ⅰ固连；

步骤四、用包封料通过层压方式包封金属柱、再布线金属层Ⅰ和沟槽以及硅基晶圆的裸露部分，形成包封层；

步骤五、研磨包封层露出金属柱的上表面；

步骤六、在上述包封层上覆盖介电层，并形成介电层开口，露出金属柱的上表面；

步骤七、在介电层的上表面依次通过溅射、光刻、电镀形成再布线金属层Ⅱ和输入/输出端Ⅱ；

步骤八、用保护层通过层压方式保护再布线金属层Ⅱ和介电层的裸露部分，并形成保护层开口露出输入/输出端Ⅱ，在输入/输出端Ⅱ形成焊球，完成硅基晶圆正面的包封工艺；

步骤九、对硅基晶圆背面进行研磨减薄，减薄至露出沟槽的底部，并对减薄后的硅基晶圆的背面用硝酸、氢氟酸这些强酸进行腐蚀，再用弱碱性清洁的方法，形成较利于背面金属层粘结紧密的背面预处理面；

步骤十、在背面预处理面贴上背胶膜形成背面保护层；

步骤十一、进行切割形成单颗半导体芯片封装结构。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，所述再布线金属层Ⅰ为多层再布线。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，所述金属柱的材质为铜、锡、镍。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构的封装方法，其特征在于，在步骤十中，在背面预处理面依次蒸镀若干层金属形成背面金属层。