[发明专利]半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的方法有效
| 申请号： | 201711293943.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109427747B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 彭成毅;何嘉政;林铭祥;张智胜;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 装置 制造 使用 测量 接触 电阻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体测试装置，所述半导体测试装置用于测量接触电阻，包括：第一鳍结构，所述第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在所述第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在所述外延层上；第一接触层，在第一点处设置在所述第一导电层上；第二接触层，在与所述第一点分开的第二点处设置在所述第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到所述第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到所述第二接触层，其中，所述半导体测试装置配置为通过在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加电流来测量所述第一接触层与所述第一鳍结构之间的所述接触电阻。
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