[发明专利]半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的方法

权利要求书

1.一种半导体测试装置，所述半导体测试装置用于测量接触电阻，包括：

第一鳍结构，所述第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；

外延层，分别形成在所述第一鳍结构的上部上；

第一导电层，分别形成在所述外延层上；

第一接触层，在第一点处设置在所述第一导电层上；

第二接触层，在与所述第一点分开的第二点处设置在所述第一导电层上；

第一焊盘，经由第一布线耦合到所述第一接触层；以及

第二焊盘，经由第二布线耦合到所述第二接触层，

其中，所述半导体测试装置配置为通过在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加电流来测量所述第一接触层与所述第一鳍结构之间的所述接触电阻；

其中，所述半导体测试装置还包括：

第二鳍结构，设置为与所述第一鳍结构相邻，所述第二鳍结构的上部从所述隔离绝缘层凸出，所述外延层分别形成在所述第二鳍结构的上部上，并且所述第一导电层分别形成在所述外延层上；

第三接触层，在第三点处设置在所述第二鳍结构的第一导电层上；以及

第三焊盘，经由第三布线耦合到所述第三接触层，其中：

并且

所述第三焊盘经由衬底在所述第一点处电连接到所述第一鳍结构。

2.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其中，所述第一接触层、所述第二接触层和所述第三接触层均包括胶层和位于所述胶层上方的主体层。

3.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其中，所述第一导电层是硅化物层。

4.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其中，所述第一导电层分别完全覆盖所述外延层的顶部和侧面。

5.根据权利要求4所述的半导体测试装置，其中，所述第一接触层和所述第二接触层与所述隔离绝缘层接触。

6.根据权利要求5所述的半导体测试装置，其中，所述第一导电层中的每一个均包括两个或多个导电材料层。

7.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其中，所述第一鳍结构的总数至少为10。

8.根据权利要求1所述的半导体测试装置，其中，所述第一鳍结构的上部包括多层不同的半导体材料。

9.一种使用半导体测试装置测量接触电阻的方法，所述半导体测试装置包括：

第一鳍结构，所述第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；

外延层，分别形成在所述第一鳍结构的上部上；

第一导电层，分别形成在所述外延层上；

第一接触层，在第一点处设置在所述第一导电层上；

第二接触层，在与所述第一点分开的第二点处设置在所述第一导电层上；

第一焊盘，经由第一布线耦合到所述第一接触层；以及

第二焊盘，经由第二布线耦合到所述第二接触层，

所述方法包括：

在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加电流，使得所述电流流过所述第一鳍结构；

在所述第一点处测量所述第一焊盘与所述第一鳍结构的底部之间的电压；以及

计算所述第一接触层与所述第一鳍结构之间的所述接触电阻；

其中：

所述半导体测试装置还包括：

第二鳍结构，设置为与所述第一鳍结构相邻，所述第二鳍结构的上部从所述隔离绝缘层凸出，所述外延层分别形成在所述第二鳍结构的上部上，并且所述第一导电层分别形成在所述外延层上；

第三接触层，在第三点处设置在所述第二鳍结构的第一导电层上；以及

第三焊盘，经由第三布线耦合到所述第三接触层，所述第三焊盘经由衬底在所述第一点处电连接到所述第一鳍结构，在所述第一焊盘与所述第三焊盘之间没有电流流动，以及

在所述第一焊盘与所述第三焊盘之间测量电压。

10.根据权利要求9所述的使用半导体测试装置测量接触电阻的方法，其中，所述第一接触层、所述第二接触层和所述第三接触层均包括胶层和位于所述胶层上方的主体层。