[发明专利]半导体测试装置、其制造及使用其测量接触电阻的方法

说明书

一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及用于测量接触电阻的半导体测试装置、制造半导体测试装置的方法以及使用半导体测试装置的接触电阻测量方法。

背景技术

随着半导体工业进入纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度，降低源极/漏极外延层与包括硅化物层的导电接触层之间的接触电阻已经成为重要的问题之一。因此，需要可以更精确地测量接触电阻的半导体测试装置(结构)。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种半导体测试装置，所述半导体测试装置用于测量接触电阻，包括：第一鳍结构，所述第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在所述第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在所述外延层上；第一接触层，在第一点处设置在所述第一导电层上；第二接触层，在与所述第一点分开的第二点处设置在所述第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到所述第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到所述第二接触层，其中，所述半导体测试装置配置为通过在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加电流来测量所述第一接触层与所述第一鳍结构之间的所述接触电阻。

根据本发明的另一方面，提供了一种使用半导体测试装置测量接触电阻的方法，所述半导体测试装置包括：第一鳍结构，所述第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在所述第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在所述外延层上；第一接触层，在第一点处设置在所述第一导电层上；第二接触层，在与所述第一点分开的第二点处设置在所述第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到所述第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到所述第二接触层，所述方法包括：在所述第一焊盘与所述第二焊盘之间施加电流，使得所述电流流过所述第一鳍结构；在所述第一点处测量所述第一焊盘与所述第一鳍结构的底部之间的电压；以及计算所述第一接触层与所述第一鳍结构之间的所述接触电阻。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造半导体测试装置的方法，所述方法包括：形成第一鳍结构和与所述第一鳍结构相邻地设置的第二鳍结构，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部从设置在衬底上方的隔离绝缘层凸出；形成外延层以包裹所述第一鳍结构和所述第二鳍结构的上部；在所述外延层上方形成硅化物层；在所述第一鳍结构的第一点上方形成与所述硅化物层接触的第一接触层，在所述第一鳍结构的第二点上方形成与所述硅化物层接触的第二接触层，和在所述第二鳍结构的第三点处形成与所述硅化物层接触的第三接触层；以及形成经由第一布线耦合到所述第一接触层的第一焊盘，形成经由第二布线耦合到所述第二接触层的第二焊盘，以及形成经由第三布线耦合到所述第三接触层的第三焊盘。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本发明。应该注意的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增加或减小。

图1A至图1D示出了根据本发明的实施例的半导体测试装置的各个视图。图1A是根据本发明的实施例的半导体测试装置的立体图，并且图1B是根据本发明的实施例的半导体测试装置的截面图。图1C和图1D示出了根据本发明的其他实施例的半导体测试装置的截面图。

图2A是根据本发明的实施例的半导体测试装置的平面图(布局)，并且图2B是根据本发明的实施例的半导体测试装置的立体图。图2C是半导体测试装置的等效电路图。