[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711224895.7 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109427745B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;余振华;刘重希;李建勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：第一裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；模塑物，其环绕所述第一裸片；第一通路，其延伸穿过所述模塑物；互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层放置于所述第一裸片的所述第一表面及所述模塑物下方，且所述导电部件放置于所述介电层内；及第二裸片，其放置于所述模塑物上方，其中所述第二裸片电连接到所述第一通路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：第一裸片，其包含第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；模塑物，其环绕所述第一裸片；通路，其延伸穿过所述模塑物；互连结构，其包含介电层及导电部件，其中所述介电层放置于所述第一裸片的所述第一表面及所述模塑物下方，且所述导电部件放置于所述介电层内；及第二裸片，其放置于所述模塑物上方，其中所述第二裸片电连接到所述通路。
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