[发明专利]一种L-抗坏血酸棕榈酸酯制备中废酸回收处置工艺在审
| 申请号： | 201711152021.5 | 申请日： | 2017-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109811410A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王娟 | 申请（专利权）人： | 王娟 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B29/62;C30B7/10;C01B35/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种L‑抗坏血酸棕榈酸酯制备中废酸回收处置工艺，包括使废硼酸经活性炭脱色处理后与氢氧化铝反应生成二水硼酸铝，再将二水硼酸制备成悬浮液加入加压反应釜中以制备半水硼酸铝晶须。本发明的工艺绿色环保，无污染，由于利用废硼酸做原料，有效解决了废硼酸污染问题，极大地降低了生产成本，并且工艺操作简单，适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 硼酸 制备 废酸回收 抗坏血酸棕榈酸酯 活性炭脱色 加压反应釜 硼酸铝晶须 工艺操作 绿色环保 氢氧化铝 污染问题 有效解决 硼酸铝 悬浮液 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种L‑抗坏血酸棕榈酸酯制备中废酸回收处置工艺，其特征在于，依次包括如下步骤：(1)收集硼酸法制备L‑抗坏血酸棕榈酸酯中的废硼酸作为原料；(2)将收集到的废硼酸经活性炭脱色处理后与氢氧化铝反应生成二水硼酸铝；(3)再将二水硼酸铝制备成悬浮液加入加压加热反应釜中进行以制备半水硼酸铝晶须；(4)反应结束，停止加热，冷却，取出生成物，抽滤，干燥，即得半水硼酸铝晶须。
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- 江伟辉;高啟蔚;刘健敏;冯果;苗立锋;徐桂荣 - 景德镇陶瓷大学
- 2016-11-24 - 2019-02-15 - C30B29/16
- 本发明公开一种非水解溶胶‑凝胶法结合熔盐工艺制备氧化锆晶须的方法，其特征在于包括如下步骤：在通风橱中称取一定量的无水锆源放入锥形瓶中，加入适量的无水有机溶剂搅拌至锆源全部溶解形成透明溶液；透明溶液经油浴加热回流24h后得到均匀的氧化锆溶胶，然后置于烘箱干燥，经预锻烧后形成氧化锆干凝胶粉；将干凝胶粉与熔盐、熔盐添加剂混合，经热处理、洗涤、干燥得到氧化锆晶须。该方法原料成本低，工艺简单，易于控制，可大规模生产，因此具有广阔的市场空间。
- 一种xTeO2·P2O5(x＝2;4)晶体的制备方法及制备装置-201710392231.5
- 李静;董为民;姚倩;张俊英;柳林涛 - 山东大学
- 2017-05-27 - 2019-01-29 - C30B29/16
- 本发明涉及一种xTeO2·P2O5(x＝2,4)晶体的制备方法及制备装置，包括以TeO2、P2O5为原料，铂丝提拉制备籽晶，提拉法生长Te2P2O9和Te4P2O13晶体。制备装置包括生长炉，生长炉顶端开口，生长炉内部底端设置有保温层，保温层上面设置有坩埚，生长炉顶端倾斜设置有观察孔，生长炉中心处设置有籽晶杆，籽晶杆连接有提拉装置。本发明克服了不一致熔融晶体不容易采用提拉法生长的技术不足，控制合适的析晶温度和提拉速率，解决了晶体生长过程中易分解或相变的问题。制备的Te2P2O9和Te4P2O13晶体可作为激光倍频材料，用于激光复印、医疗、存储、显示等领域。
- 高热导率、高电导率的共掺杂氧化镓晶体激光材料及其制备方法-201811008324.4
- 沈荣存 - 南京同溧晶体材料研究院有限公司
- 2018-08-31 - 2019-01-11 - C30B29/16
- 本发明属于人工晶体领域，具体涉及一种高热导率、高电导率的共掺杂氧化镓晶体激光材料及其制备方法，特别涉及共掺杂钛和铟的氧化镓晶体及其制备方法，所述共掺杂钛和铟的氧化镓晶体通过在氧化镓中同时掺入钛和铟离子，具有高热导率和高电导率激光特性，适合用作普通的固体激光工作物质、可调谐激光器或超快激光器或自调Q固体激光器的增益介质。
- 基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法-201811100437.7
- 沈荣存 - 南京同溧晶体材料研究院有限公司
- 2018-09-20 - 2019-01-11 - C30B29/16
- 本发明属于人工晶体领域，具体涉及一种基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料及其制备方法，所述基于钛掺杂石墨烯量子点的氧化镓晶体材料以宽禁带半导体材料氧化镓为基质材料，其禁带宽度为4.9ev，处于紫外光波段，对于紫外光具有良好的光谱吸收和响应，在氧化镓中掺杂钛掺杂的石墨烯量子点，光照下，氧化镓半导体材料吸收并产生的电子空穴对，在结势垒电场的作用下，电子或空穴将会注入石墨烯量子点内，石墨烯内载流子浓度随之发生变化，进而大大改变晶体材料的电阻率，适用于紫外探测等领域。
- 一种制备超亲水性能的单晶锐钛矿TiO2纳米棒阵列的方法-201610926204.7
- 杜军;龚程;许永强;戚雯倩;李秀云;李凯;彭海龙;罗美 - 南昌大学
- 2016-10-31 - 2019-01-11 - C30B29/16
- 一种制备超亲水性能的单晶锐钛矿TiO2纳米棒阵列的方法，以TiCl4作为Ti源，以H2O作为O源，HCl作为抑制剂；用水热法在ITO导电薄膜上形成TiO2纳米棒阵列。纳米棒的直径为50～800nm，长度为0.25～10μm。该方法无催化剂，有效解决了纳米材料使用中的回收的难题，而且工艺简单、成本低廉、反应时间较短、制备的晶体结晶好、纯度高，TiO2纳米棒阵列具有超高的亲水性能，可极大地提高其光催化性能。TiO2纳米棒阵列的形貌和组成可通过改变工艺条件控制。
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