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[发明专利]一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用-CN202010471505.1有效
发明人：张明智;王可;邹继军;朱志甫;邓文娟;田芳 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明适用于核辐射探测技术领域，提供了一种半导体核辐射探测器及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：用溴甲醇溶液对CsPbBr3单晶衬底的表面进行化学腐蚀处理；用氢溴酸溶液对化学腐蚀处理后的衬底的其中一面进行钝化处理，形成钝化层；对钝化层的中央部分进行刻蚀处理，形成刻蚀区域；在刻蚀区域上依次沉积第一内层金属电极、第一中层金属电极和第一外层金属电极；以及在衬底远离刻蚀区域一面上依次沉积第二内层金属电极、第二中层金属电极和第二外层金属电极，得到半成品；将半成品置于保护气氛下进行退火处理，得到半导体核辐射探测器。该半导体核辐射探测器可进行室温探测和无损探测，其具有探测极限低，方便携带等优点。
一种半导体核辐射探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种AlGaN/GaN量子阱近红外-紫外双色探测光电阴极及其制备工艺-CN202111114969.8有效
发明人：邓文娟;朱斌;邹继军;彭新村;朱志甫;王壮飞;周甜 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种AlGaN/GaN量子阱近红外‑紫外双色探测光电阴极及其制备工艺。包括衬底，缓冲层外延在衬底上，P型下帽层制作在缓冲层上，P型势阱层制作在P型下帽层上，多量子阱层制作在P型势阱层上，P型上帽层制作在多量子阱层上，P型发射层制作在P型上帽层上，其中多量子阱层由I型势垒层、I型势阱层组成，多量子阱层为20周期，其结构是通过MOCVD进行制备。本发明可以同时探测紫外和近红外双波段，同时具有“日盲”的特性；可以通过调节不同的外延层组分或者势阱层厚度来选择不同的探测波段；与此同时有较快的时间响应，灵敏度高，量子效率高，且有较好的波段选择性，可探测微弱信号，探测成本低等。
一种 algan gan 量子红外紫外探测光电阴极及其制备工艺

[发明专利]一种夹层结构的立体CsPbBr3-CN202310313827.7在审
发明人：张明智;夏国图;汤彬;邹继军;邓文娟;彭新村;杨亚韬;田芳 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种夹层结构的立体CsPbBr3中子探测器及其制备方法和应用，该探测器包括金属电极层，半导体钝化层、上下CsPbBr3吸收层、夹层式中子转换层、绝缘片、PCB印刷电路板，所述夹层式中子转换层作为中间层被上下CsPbBr3吸收层夹叠，有效增加了中子转换材料和CsPbBr3吸收层的接触面积，当中子入射中子转换层发生核反应产生次级粒子，次级粒子可被上层CsPbBr3吸收层或下层CsPbBr3吸收层吸收并产生电子‑空穴对，大大降低了次级粒子的损耗，在工作偏压下电子‑空穴对被金属电极层收集产生探测信号，有效提高中子探测器的探测效率。
一种夹层结构立体 cspbbr base sub

[发明专利]一种CsPbBr3-CN202210517450.2有效
发明人：张明智;杨亚韬;邹继军;王可;邓文娟;夏国图;田芳;宁漆帅 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种CsPbBr3核辐射探测器，包括CsPbBr3单晶衬底、能够提高探测稳定性的复合金属电极、PCB板基座及金属管脚，其中，所述复合金属电极由分别沉积在CsPbBr3单晶衬底相对两侧的一层高功函数金属电极和一层低功函数金属电极合金化形成，所述CsPbBr3单晶衬底包裹在复合金属电极内，所述CsPbBr3单晶衬底一侧固定在PCB板基座的阴极区；且所述复合金属电极上侧与PCB板基座的阳极区连接，所述PCB板基座的阴极区与金属管脚阴极连接，所述PCB板基座的阳极区与金属管脚阳极连接；本发明的CsPbBr3半导体核辐射探测器能在室温下探测到核信号，且在长时间工作偏压下具有较高的探测稳定特性，误差率小。
一种 cspbbr base sub

[发明专利]一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法-CN202211502227.7在审
发明人： 邹继军;汤彬;杨淑婷;彭新村;张明智;朱志甫 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维位置灵敏硅中子探测器及其制备方法，该中子探测器以硅作为衬底，在硅衬底上下两面生长Si3N4钝化层，利用干法刻蚀在硅衬底上形成两面交叉90°的微沟槽结构，或者利用湿法刻蚀在硅衬底上形成两面交叉70.53°的微沟槽结构；接着在微沟槽内部一面沉积Au作为肖特基电极一面沉积Al作为欧姆电极，或者两面均沉积Al作为欧姆电极，最后利用离心填充法与滚压填充法结合的方式，将中子转换材料填充至微沟槽内以形成中子转换层，最终制成具有两面交叉微沟槽的二维位置灵敏硅中子探测器，探测器的两面微沟槽可通过正反两面微沟槽中微条电极收集中子二维位置信息，以此在提高中子探测效率的同时，实现对中子位置的分辨。
一种二维位置灵敏中子探测器及其制备方法

[发明专利]一种双面交叉硅沟槽的湿法刻蚀制备方法-CN202211502187.6在审
发明人： 邹继军;汤彬;杨淑婷;彭新村;张明智 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面交叉硅沟槽的湿法刻蚀制备方法，以硅作为衬底层，在硅衬底上下双面采用化学气相沉积技术生长Si3N4钝化层，利用匀胶机在一面的Si3N4钝化层上旋涂负性光刻胶层，对负性光刻胶层进行曝光显影，在另一面重复上述步骤，正反两面光刻后所形成的微沟槽图案相互交叉，并且正反两面微沟槽之间的夹角为70.53°；去除Si3N4钝化层已曝光的部分及光刻胶，然后浸泡在蚀刻液中恒温、超声处理对硅衬底进行刻蚀从而形成双面交叉微沟槽结构。本发明利用硅的选择性湿法刻蚀特性有效解决硅基材料的双面交叉微结构湿法刻蚀问题，湿法刻蚀的微沟槽结构质量显著优于干法刻蚀的质量，并且刻蚀成本更低。
一种双面交叉沟槽湿法刻蚀制备方法

[发明专利]一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器-CN202011353730.1有效
发明人：汤彬;邹继军;陈大洪;彭新村;朱志甫 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器，以p型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次外延生长低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层、高Al组分AlGaAs刻蚀层，而后在高Al组分AlGaAs刻蚀层上周期性交替生长多层低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层与高Al组分AlGaAs刻蚀层，且最后在顶层外延生长的一层为低Al组分变带隙AlGaAs/GaAs有源层，再利用HF酸腐蚀高Al组分AlGaAs刻蚀层以形成微沟槽；再在微沟槽中沉积肖特基电极，在GaAs衬底层沉积欧姆电极，最后在微沟槽形成有中子转换层，刻蚀的微沟槽质量显著，有利于探测器中子探测效率的提升。
一种利用湿法刻蚀具有沟槽 algaas gaas 中子探测器

[发明专利]一种GaN中子探测器用的10-CN202011174878.9有效
发明人：朱志甫;邹继军;孙志嘉;唐彬;修青磊;张明智;王仁波;邓文娟;彭新村;汤彬 -专利权人：郑州工程技术学院;东华理工大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01T3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备方法，包含以下步骤：在GaN体材料的两面分别沉积Cr/Pt/Au复合金属层并退火，制备成GaN器件；将10B4C粉末、丙酮和异丙醇形成的混合液装入胶管滴管中并超声混合均匀；将10B4C混合液分别滴在被匀胶机托盘吸附的GaN器件的正表面和背表面，启动匀胶机并加热，使10B4C中子转换材料均匀凝固在GaN器件的正表面和北表面；将聚酰亚胺悬涂在含有10B4C中子转换层的GaN器件正表面和背表面并烘烤固化，完成GaN中子探测器用的10B4C中子转换层制备，本发明具有制备工艺简单、制备周期短、原材料利用率高和厚膜厚度可控等优点，在热中子探测中实现了高的探测效率和高的灵敏度。
一种 gan 中子探测器用 base sup 10

[实用新型]一种MSM型金刚石快中子探测器-CN202123121516.6有效
发明人：岳秀萍;朱志甫;邹继军;甘勇;郭晨鲜;王少堂;龙炳旭;杨涵;秦正;邢宗强 -专利权人：东华理工大学;郑州工程技术学院
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本实用新型公开一种MSM型金刚石快中子探测器的设计，该探测器包括底层和顶层Ti/Al欧姆接触电极层，金刚石单晶层，Si3N4绝缘层,SiO2钝化层，PCB板，铝线，导电银浆和SMA接头。通过SMA接头引出探测器与后级电子学的连接，收集快中子与金刚石产生的电荷。在顶层电极的表面沉积了一层SiO2钝化层，防止器件机械性损伤，有助于表面沾污时清洗，保护水汽环境中器件失效。Ti/Al金属的厚度为50/800nm。由于金刚石是目前已知的半导体材料中最耐辐照耐高温的材料，且金刚石中的12C与快中子能直接发生核反应，本专利设计可应用于快中子的探测，如中子能谱测量、计数、束流监测和位置分辨等。
一种 msm 金刚石快中子探测器

[实用新型]一种铁路货运安全防盗装置-CN202220269140.9有效
发明人：李林卿;郝钢;种鹏云;吴凡;黄文成;宫丹青;郭胜杰;刘雪斐;李柏华;李晓林;刘韵光;邹继军;梁兴月;罗江涛 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B61D19/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铁路货运安全防盗装置，包括篷车箱体以及箱门，还包括设置于篷车箱体内的第一锁杆和第二锁杆，第一锁杆和第二锁杆的顶端均与篷车箱体的内侧壁铰链连接，箱门的内侧壁上对应第一锁杆固定设置有第一卡座，箱门的内侧壁上对应第二锁杆设置有第二卡座，第一锁杆和第二锁杆之间设置有连杆，第一锁杆和第二锁杆的中部均与连杆铰链连接，连杆的一端设置有传动机构，传动机构的输出端与连杆的一端传动连接。本实用新型设置有第一锁杆和第二锁杆，能够与箱门内侧的第一卡座和第二卡座卡接配合，能够增强箱门的防护作用，第一锁杆和第二锁杆之间设置有连杆，连杆能够传动第一锁杆和第二锁杆简单方便的实现对箱门的锁紧。
一种铁路货运安全防盗装置

[实用新型]一种铁路货运集装箱吊具-CN202220269154.0有效
发明人：李林卿;郝钢;种鹏云;吴凡;黄文成;宫丹青;洒雨;刘雪斐;李晓林;刘韵光;邹继军;梁兴月;罗江涛 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B66C1/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铁路货运集装箱吊具，包括：吊装架；吊接架，吊接架的底部设置有吊装臂，吊装臂的一端与吊接架固定连接，吊装臂的另一端上设置有第一吊轮；加载板，加载板与吊接架之间设置有伸缩件，加载板上设置有第二吊轮；设置于吊接架和吊装架之间的吊绳，吊绳的一端与吊接架固定连接，吊绳的另一端依次绕过第二吊轮和第一吊轮后与吊装架的顶部固定连接。本实用新型设置有加载板和第二吊轮，并且加载板通过伸缩件与吊接架连接，通过伸缩件的伸缩作用能够使得加载板位移，可以对吊绳起到拉动作用，进而可以将集装箱进行预起吊，可以有助于判断对集装箱的固定是否稳定，便于后续抬高并移动集装箱。
一种铁路货运集装箱

[实用新型]一种铁路货运装载紧固装置-CN202220269155.5有效
发明人：李林卿;郝钢;种鹏云;吴凡;黄文成;宫丹青;郭胜杰;刘雪斐;李柏华;李晓林;刘韵光;邹继军;梁兴月;罗江涛 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B61D45/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铁路货运装载紧固装置，包括：底座；两个用于分别加固铁路货车上相邻装载物的装载支撑架，两个装载支撑架设置于底座顶部的相对侧，两个装载支撑架相互背离的一侧均设置有支撑斜板。本实用新型在支撑座上设置有装载支撑架，装载紧固稳定，通过设置两个装载支撑架，能够对相邻货物之间起到限位作用，紧固更安全，使用方便。
一种铁路货运装载紧固装置

[发明专利]一种直接探测中子的10-CN202111352932.9在审
发明人：朱志甫;王少堂;邹继军;甘勇;郭晨鲜;张洋;王民川;孔国利;岳秀萍 -专利权人：郑州工程技术学院;东华理工大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种直接探测中子的10BN材料的低气压化学气相沉积生长装置及其生长方法，以源加热炉加热生长源，使其分解为气态产物，以氩气或者氮气作为气态产物的载气，在混气罐中混气结束后通入刚玉管中进行10BN薄膜的生长。该生长方法使用的生长源为富集10B，使得生长的10BN薄膜中有较好的10B丰度；该生长方法的生长源与载气在混气罐中混气结束后通入反应腔室，使得生长源能和载气均匀混合，能有效地提高10BN薄膜的生长速率和质量；该生长方法利用加热线圈加热生长源的传输路径，以减少前驱体在传输过程中的损耗；该生长方法利用双温区的高温管式炉，使得温度场更加稳定。
一种直接探测中子 base sup 10

[发明专利]一种消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法-CN202111352943.7在审
发明人：朱志甫;邹继军;甘勇;孙志嘉;修青磊;郭晨鲜;刘艳;张洋;孔国利;王少堂 -专利权人：郑州工程技术学院;东华理工大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01T3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法，包含以下步骤：将金刚石体材料进行化学清洗和等离子表面处理；在金刚石体材料正表面生长氮化硅钝化层；利用高真空设备在金刚石正表面和背表面分别制备欧姆接触电极和极化电极，背面极化电极必须在金刚石背面的正中心位置；在金刚石正表面的欧姆接触电极和极化电极之间是氮化硅钝化隔离层；将极化电极接到直流小电压电源的两端；将欧姆接触电极接到高压电源两端。本发明制备的消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法，具有高的电荷收集效率、中子探测效率和计数率等优点，在高能量粒子探测、散裂中子源、核反应堆等场合的快中子探测中具有重要的应用价值。
一种消除极化效应金刚石中子探测器制备方法

[发明专利]与玉米抗灰斑病主效QTL-qRgls1共分离的SNP标记及应用-CN201811593497.7有效
发明人： 邹继军;卢东林;徐明良;马传禹;郑小明;阮祥经;李晓鹏;谈存梅;马丽 -专利权人：袁隆平农业高科技股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明提供与玉米抗灰斑病主效QTL‑qRgls1共分离的SNP标记及应用。所述SNP标记选自标记SNP1‑SNP3中的至少一个，所述标记SNP1‑SNP3的核苷酸序列分别如SEQ ID NO:5‑7所示。本发明还提供用于检测所述SNP标记的KASP引物。利用本发明提供的SNP标记及其KASP引物能够高效且低成本地鉴定出玉米灰斑病抗性材料，可实现对玉米灰斑病抗病基因的高通量检测。
玉米抗灰斑病主效 qtl qrgls1 分离 snp 标记应用

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