[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711119152.3 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786337B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨列勇;李洋;张昕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L21/02;H01L21/762;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高磊;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有功能层，所述功能层内具有有源区，所述功能层内具有凹槽，所述凹槽侧壁露出所述有源区；形成种子层，所述种子层至少位于凹槽侧壁所露出的有源区上；在所述有源区内形成开口，所述开口的侧壁露出所述种子层；在侧壁露出所述种子层的开口内形成外延层。通过所述种子层的形成，为所述外延层的形成提供良好的生长表面，从而能够使所形成的外延层填充满所述开口，以提高所形成外延层的质量，减少外延层缺陷的产生，有利于所形成外延层质量的提高，有利于半导体结构性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有功能层，所述功能层内具有有源区，所述功能层内具有凹槽，所述凹槽侧壁露出所述有源区；形成种子层，所述种子层至少位于凹槽侧壁所露出的有源区上；在所述有源区内形成开口，所述开口的侧壁露出所述种子层；在侧壁露出所述种子层的开口内形成外延层。
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