[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有功能层，所述功能层内具有有源区，所述功能层内具有凹槽，所述凹槽侧壁露出所述有源区；

形成种子层，所述种子层至少位于凹槽侧壁所露出的有源区上；

在所述有源区内形成开口，所述开口的侧壁露出所述种子层；

在侧壁露出所述种子层的开口内形成外延层；

提供衬底之后，形成种子层之前，还包括：在所述凹槽侧壁和底部上形成氧化层，所述氧化层覆盖所述凹槽的侧壁和底部；所述种子层覆盖于所述氧化层上。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述种子层的材料与所述功能层的材料相同。

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述功能层的材料为硅，所述种子层的材料为硅。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述种子层的厚度在到范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方式形成所述种子层。

6.如权利要求1或5所述的形成方法，其特征在于，所述凹槽底部露出所述衬底；

所述种子层延伸至所述凹槽底部的衬底上。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成种子层之后，形成开口之前，还包括：侧壁上形成有所述种子层的凹槽内形成隔离结构。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之后，形成所述开口之前，还包括：

在所述有源区上形成栅极结构；

所述开口的数量为多个，至少一个开口位于所述栅极结构和所述隔离结构之间。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤包括：

提供衬底，所述衬底上具有所述功能层；

刻蚀所述功能层，在所述功能层内形成所述凹槽，相邻所述凹槽之间的功能层定义为所述有源区。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：

刻蚀所述有源区，在所述有源区内形成预备开口，所述预备开口的侧壁露出所述氧化层；

去除所述预备开口侧壁所露出的氧化层，以形成侧壁露出所述种子层的所述开口。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，通过氢氟酸清洗的方式去除所述氧化层。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过外延生长的方式向所述开口内填充半导体材料以形成所述外延层。

13.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

功能层，所述功能层位于所述衬底上，所述功能层内具有有源区；

隔离结构，所述隔离结构位于所述功能层内，且与所述有源区相邻设置；

外延层，所述外延层位于所述有源区内；

种子层，所述种子层至少位于所述外延层和所述隔离结构之间，且与所述外延层的侧壁相接触；所述种子层还延伸至功能层和所述隔离结构之间；

氧化层，所述氧化层位于所述功能层和所述种子层之间。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层的材料与所述功能层的材料相同。

15.如权利要求13或14所述的半导体结构，其特征在于，所述功能层的材料为硅，所述种子层的材料为硅。

16.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述种子层的厚度在到范围内。