[发明专利]半导体封装装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710905195.8 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107946287B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 刘京植;李梁远;金锡奉 申请(专利权)人: 日月光半导体(韩国)有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L21/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体封装装置包含:衬底、裸片、封装主体、屏蔽层、阻焊层、绝缘膜和互连元件。所述裸片安置在所述衬底的顶部表面上。所述封装主体安置在所述衬底的所述顶部表面上以覆盖所述裸片。所述屏蔽层安置在所述封装主体上且电连接到所述衬底的接地元件。所述阻焊层安置在所述衬底的底部表面上。所述绝缘膜安置在所述阻焊层上。所述互连元件安置在所述衬底的所述底部表面上。所述互连元件的第一部分由所述绝缘膜覆盖,并且所述互连元件的第二部分从所述绝缘膜中暴露。
搜索关键词: 半导体 封装 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体封装装置,其包括:衬底,其包括接地元件、顶部表面、与所述顶部表面相对的底部表面以及在所述顶部表面与所述底部表面之间的横向表面;裸片,其安置在所述衬底的所述顶部表面上;封装主体,其安置在所述衬底的所述顶部表面上并且覆盖所述裸片;屏蔽层,其安置在所述封装主体上并且电连接到所述衬底的所述接地元件;阻焊层,其安置在所述衬底的所述底部表面上;绝缘膜,其安置在所述阻焊层上;以及互连元件,其安置在所述衬底的所述底部表面上,其中所述互连元件的第一部分由所述绝缘膜覆盖,并且所述互连元件的第二部分从所述绝缘膜中暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体(韩国)有限公司,未经日月光半导体(韩国)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710905195.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top