[发明专利]一种标记图形及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201710740889.0 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107818983B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 李思晢;华文宇;洪培真;夏志良;骆中伟;霍宗亮 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11578;H01L23/544
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 董李欣
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 提供一种用于3D NAND台阶的标记图形的形成方法,其特征在于:标记图形与顶部选择栅(TSG)图形通过一次掩模刻蚀同步形成于N‑O叠层,所形成的标记图形为凸起结构。该标记图形形成在外围台阶区域,且形成在TSG图形垫角落区域。通过将标记图案整合到TSG图形的制备工艺中,减少了整个台阶工艺的步骤,降低了3D NAND的制造成本,解决了台阶工艺中无法测量大台阶图形尺寸变化和套刻(overlay)的问题,同时可以间接反映大台阶侧壁形貌和倾角对应不同刻蚀次数的变化。
搜索关键词: 一种 标记 图形 及其 形成 方法
【主权项】:
一种用于3D NAND台阶的标记图形的形成方法,包括如下步骤:提供衬底,具有位于其上的N‑O叠层,N‑O叠层包括用于形成沟道通孔的中心区域和形成互连的外围台阶区域;提供一掩模,通过一次刻蚀同步形成顶部选择栅(TSG)图形垫和标记图形。
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