[发明专利]一种标记图形及其形成方法有效
| 申请号： | 201710740889.0 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107818983B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李思晢;华文宇;洪培真;夏志良;骆中伟;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 标记 图形 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种3DNAND存储器件，包括衬底，形成在衬底上的N-O叠层，该N-O叠层包括用于形成沟道通孔的中心区域和用于形成互连的外围台阶区域；顶部选择栅(TSG)图形垫，其覆盖中心区域；标记图形，形成在外围台阶区域，其特征在于：该标记图形为凸起结构，该标记图形形成在每个台阶垫的角落区域的内/外侧，每相邻两个台阶垫共用一组标记图形；该标记图形与TSG图形垫通过一次掩模同步刻蚀形成，且TSG台阶垫附近的标记图形与TSG台阶垫等高。
2.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于标记图形的边缘与台阶垫的边缘平行。
3.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于TSG图形垫的角落设置有标记图形。
4.如权利要求1所述的存储器件，其特征在于标记图形在水平或垂直方向呈一行或一列排列，或者标记图形沿不同台阶垫角落延展方向排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710740889.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储装置
- 下一篇：半导体装置及其制造方法和显示设备及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
