[发明专利]半导体芯片的封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201710632688.9 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107452702A | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;林正忠;陈彦亨 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的封装结构及封装方法，包括待封装芯片结构；重新布线层，形成于待封装芯片结构上，其具有与所述待封装芯片结构电性连接的第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第二面露出有金属布线层；金属凸块，直接制作于所述金属布线层上；以及聚合物层，所述聚合物层包围所述金属凸块，且所述聚合物层上露出有所述金属凸块的部分。本发明不需要在重新布线层上制作凸点下金属层，只需制作一层聚合物层对金属凸块进行保护，可增加凸点下金属层与重新布线层之间的结合强度，并可以对其进行保护，防止氧化及水汽等对金属凸块及重新布线层的影响；本发明工艺及结构较简单，可有效降低封装工艺及结构的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的封装结构，其特征在于，包括：待封装芯片结构；重新布线层，形成于所述待封装芯片结构上，所述重新布线层具有与所述待封装芯片结构电性连接的第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述第二面露出有包含在所述重新布线层中的金属布线层；金属凸块，直接制作于所述金属布线层上；以及聚合物层，形成于所述重新布线层的第二面，所述聚合物层包围所述金属凸块，且所述聚合物层上露出有所述金属凸块的部分。
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