[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710516059.X 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN107546196B 公开(公告)日: 2020-03-13
发明(设计)人: 岩井裕次;宫胁胜巳 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L21/50;H01L23/495
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置及其制造方法,涉及适合用作高频电子部件的半导体装置及其制造方法,本发明的目的在于得到一种利用封装树脂进行封装,具有针对电磁波的屏蔽功能,且能够实现小型化的半导体装置及其制造方法。本发明所涉及的半导体装置具有:引线框架,其具有第1端子和用于接地的第2端子;封装树脂,其将所述引线框架覆盖;露出部,其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出;以及导电性材料,其将所述封装树脂的表面覆盖,在所述露出部与所述第2端子接触。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具有:引线框架,其具有第1端子和用于接地的第2端子;封装树脂,其将所述引线框架覆盖;露出部,其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出;以及导电性材料,其将所述封装树脂的表面覆盖,在所述露出部与所述第2端子接触。
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