[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

引线框架，其具有第1端子和用于接地的第2端子；

封装树脂，其将所述引线框架覆盖；

露出部，其是所述第2端子的一部分、且从所述封装树脂露出；以及

导电性材料，其将所述封装树脂的表面覆盖，在所述露出部与所述第2端子接触，

所述第1端子及所述第2端子配置在所述半导体装置的端部，

所述第2端子在该端部具有第1部分、与所述第1部分相比位于内侧且比所述第1部分高度高的第2部分，所述第1部分比所述第1端子中的高度最高的部分高，

所述封装树脂在所述端部具有所述端部处的高度与所述第1部分相等的薄壁部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2端子具有：

第3端子，其高度与所述引线框架所具有的所述第1端子相同；以及

导电性部件，其配置在所述第3端子的表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述引线框架具有用于搭载半导体芯片的芯片焊盘，

所述第2端子与所述芯片焊盘导通。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述露出部和所述薄壁部形成为将半导体芯片围绕，

所述导电性材料将围绕所述半导体芯片的所述露出部及所述薄壁部的表面覆盖。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

封装工序，利用封装树脂将具有第1端子和用于接地的第2端子的引线框架覆盖，在所述第2端子形成从所述封装树脂露出的露出部；以及

导电性材料形成工序，在所述封装树脂的表面涂敷导电性材料，以在所述露出部使所述导电性材料与所述第2端子接触，

所述第1端子及所述第2端子配置于所述半导体装置的端部，

该半导体装置的制造方法具有：端子形成工序，将所述第1端子及所述第2端子形成为所述第2端子的高度比所述第1端子高，

所述封装工序具有：半切割工序，在所述端子形成工序后，在所述半导体装置的端部实施将所述第1端子保持为包覆状态、使所述第2端子露出的半切割，在所述第2端子形成第1部分、第2部分，该第1部分比所述第1端子中的高度最高的部分高，该第2部分与所述第1部分相比位于内侧且比所述第1部分高度高。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述端子形成工序具有对所述第1端子进行半蚀刻的工序。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述端子形成工序具有下述工序：

对所述第1端子及所述引线框架所具有的第3端子进行半蚀刻的工序；以及

在所述第3端子的表面配置导电性部件，形成所述第2端子的工序。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述引线框架具有用于搭载半导体芯片的芯片焊盘，

所述第2端子与所述芯片焊盘导通。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述半切割工序中，以围绕所述半导体装置的方式实施半切割，以围绕半导体芯片的方式形成所述露出部和所述封装树脂的薄壁部，

在所述导电性材料形成工序中，利用所述导电性材料将围绕所述半导体芯片的所述薄壁部的表面及所述露出部覆盖。