[发明专利]半导体晶粒背侧装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710507626.5 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546195A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | A.V.高达;R.I.托米宁 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郭帆扬,刘林华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体芯片封装件的晶粒，其包括第一表面，第一表面包括形成在其中的集成电路。晶粒还包括与第一表面相反的背侧表面。背侧表面具有限定背侧表面的基本平面区域的总表面面积。晶粒还包括形成在背侧表面上的至少一个装置。至少一个装置包括从至少一个装置延伸超过总表面面积的至少一个延伸部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶粒 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体芯片封装件的晶粒，所述晶粒包括：第一表面，所述第一表面包括形成在其中的集成电路；背侧表面，所述背侧表面与所述第一表面相反，所述背侧表面具有限定所述背侧表面的基本平面区域的总表面面积；以及至少一个装置，所述至少一个装置形成在所述背侧表面上，所述至少一个装置包括从所述至少一个装置延伸超过所述总表面面积的至少一个延伸部。
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