[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201710180554.8 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN108630657B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 张峰溢;李甫哲;郭明峰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构的制作方法包含提供一基底，在基底上形成焊垫金属以及熔丝金属，然后形成衬层以及蚀刻停止层至少覆盖熔丝金属的顶面，在基底上形成介电层与钝化层，再于钝化层中定义出焊垫开口和熔丝开口，进行第一蚀刻步骤自焊垫开口以及熔丝开口移除暴露的介电层直到焊垫金属的顶面以及蚀刻停止层的表面分别自焊垫开口以及熔丝开口暴露出来，再进行第二蚀刻步骤，自熔丝开口移除暴露的蚀刻停止层直到暴露出衬层的一表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，包含：提供一基底；在该基底上形成一焊垫金属以及一熔丝金属；形成一衬层以及一蚀刻停止层，至少覆盖该熔丝金属的一顶面；形成一介电层；在该介电层上形成一钝化层；在该钝化层中定义出一焊垫开口以及一熔丝开口，其中该焊垫开口位于该焊垫金属正上方，该熔丝开口位于该熔丝金属正上方；进行一第一蚀刻步骤，自该焊垫开口以及该熔丝开口移除该介电层，直到该焊垫金属以及该蚀刻停止层分别自该焊垫开口以及该熔丝开口暴露出来；以及进行一第二蚀刻步骤，自该熔丝开口移除暴露的该蚀刻停止层直到暴露出该衬层。
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