[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包含：

提供一基底；

在该基底上形成一焊垫金属以及一熔丝金属，其中该焊垫金属以及该熔丝金属是形成在同一材料层中；

形成一衬层于该焊垫金属及该熔丝金属上；

形成一蚀刻停止层，至少覆盖该熔丝金属的一顶面；

形成一介电层于该衬层及该蚀刻停止层上，其中该衬层与该介电层直接接触；

在该介电层上形成一钝化层；

在该钝化层中定义出一焊垫开口以及一熔丝开口，其中该焊垫开口位于该焊垫金属正上方，该熔丝开口位于该熔丝金属正上方；

进行一第一蚀刻步骤，自该焊垫开口以及该熔丝开口移除该介电层，直到该焊垫金属以及该蚀刻停止层分别自该焊垫开口以及该熔丝开口暴露出来；以及

进行一第二蚀刻步骤，自该熔丝开口移除暴露的该蚀刻停止层直到暴露出该衬层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该第一蚀刻步骤对于该介电层以及该蚀刻停止层具有蚀刻选择性。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中该衬层以及该介电层包含氧化硅，该蚀刻停止层包含氮化硅。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中该钝化层包含聚酰亚胺(polyimide)。

5.如权利要求1所述的制作方法，其中形成该衬层以及形成该蚀刻停止层的步骤包含:

形成该衬层，共型地覆盖该基底、该焊垫金属以及该熔丝金属的顶面和侧壁；

在该衬层上形成一蚀刻停止材料层；

移除位于该焊垫金属正上方的部分该蚀刻停止材料层，剩余的该蚀刻停止材料层即为该蚀刻停止层。

6.如权利要求5所述的制作方法，其中移除部分该蚀刻停止材料层的步骤包含移除该蚀刻停止材料层位于该焊垫金属的侧壁的部分。

7.如权利要求5所述的制作方法，其中移除部分该蚀刻停止材料层的步骤包含完全移除该蚀刻停止材料层非位于该熔丝金属正上方的部分。

8.一种半导体结构，包含：

基底，焊垫金属以及熔丝金属位于该基底上，其中该焊垫金属以及该熔丝金属是形成在同一材料层中；

衬层，位于该焊垫金属及该熔丝金属上；

蚀刻停止层，至少覆盖该熔丝金属的顶面；

介电层，覆盖该焊垫金属以及该熔丝金属，其中该衬层与该介电层直接接触；

钝化层，位于该介电层上；

焊垫开口，位于该焊垫金属的正上方，贯穿该钝化层、该介电层以及该衬层，暴露出该焊垫金属；以及

熔丝开口，位于该熔丝金属正上方，贯穿该钝化层、该介电层以及该蚀刻停止层，但不贯穿该衬层，暴露出该衬层的一表面。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该衬层以及该介电层包含氧化硅，该蚀刻停止层包含氮化硅。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其中该钝化层包含聚酰亚胺(polyimide)。

11.如权利要求8所述的半导体结构，其中该介电层与该焊垫金属的侧壁上的该衬层直接接触，该介电层与该熔丝金属的侧壁上的该衬层被该蚀刻停止层区隔开而不直接接触。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中非位于该熔丝金属正上方的该衬层与该介电层直接接触。