[发明专利]一种存储单元及非易失性存储器

摘要

本发明公开了一种存储单元及非易失性存储器，其中，存储单元包括：半导体衬底，包括有源区；源区，位于有源区的半导体衬底内；栅区，包括位于源区之上且相互绝缘的第一浮栅、第二浮栅和控制栅，其中，第一浮栅和第二浮栅至少部分位于半导体衬底内且分别位于栅区内的两端，控制栅分别与第一浮栅和第二浮栅具有正对区域，第一浮栅远离第二浮栅一侧的表面、第二浮栅远离第一浮栅一侧的表面，以及第一浮栅与源区之间和第二浮栅与源区之间形成有一体的隧穿氧化层；第一漏区和第二漏区，分别位于栅区两侧的有源区的半导体衬底内。本发明解决了存储单元占据面积大的问题，可缩小非易失性存储器的尺寸。

主权项

1.一种存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，包括有源区；源区，位于所述有源区的半导体衬底内；栅区，包括位于所述源区之上且相互绝缘的第一浮栅、第二浮栅和控制栅，其中，所述第一浮栅和所述第二浮栅至少部分位于所述半导体衬底内且分别位于所述栅区内的两端，所述控制栅分别与所述第一浮栅和所述第二浮栅具有正对区域，所述第一浮栅远离所述第二浮栅一侧的表面、所述第二浮栅远离所述第一浮栅一侧的表面，以及所述第一浮栅与所述源区之间和所述第二浮栅与所述源区之间形成有一体的隧穿氧化层；第一漏区和第二漏区，分别位于所述栅区两侧的所述有源区的半导体衬底内。