[发明专利]一种存储单元及非易失性存储器

权利要求书

1.一种存储单元，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括有源区；

源区，位于所述有源区的半导体衬底内；

栅区，包括位于所述源区之上且相互绝缘的第一浮栅、第二浮栅和控制栅，其中，所述第一浮栅和所述第二浮栅至少部分位于所述半导体衬底内且分别位于所述栅区内的两端，所述控制栅分别与所述第一浮栅和所述第二浮栅具有正对区域，所述第一浮栅远离所述第二浮栅一侧的表面、所述第二浮栅远离所述第一浮栅一侧的表面，以及所述第一浮栅与所述源区之间和所述第二浮栅与所述源区之间形成有一体的隧穿氧化层；

第一漏区和第二漏区，分别位于所述栅区两侧的所述有源区的半导体衬底内。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述第一浮栅和所述第二浮栅上表面与所述半导体衬底上表面齐平。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述控制栅至少包括第一控制栅，所述第一控制栅位于所述第一浮栅和所述第二浮栅之上。

4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述控制栅还包括与所述第一控制栅电连接的第二控制栅，所述第二控制栅从所述第一控制栅向所述源区延伸，且部分位于所述第一浮栅和所述第二浮栅中间。

5.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述第一控制栅与非易失性存储器的字线同层设置，且所述第一控制栅与所述字线一体成型。

6.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一浮栅和所述第二浮栅的厚度为100～350nm。

7.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，沿所述第一漏区、所述栅区和所述第二漏区的排布方向上，所述栅区的宽度为20～80nm。

8.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述控制栅和所述半导体衬底上覆盖有绝缘层；

所述绝缘层上设置有非易失性存储器的相互绝缘的第一位线和第二位线；

所述第一漏区通过第一位线接触孔电连接至所述第一位线，所述第二漏区通过第二位线接触孔电连接至所述第二位线。

9.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述控制栅与所述第一浮栅及第二浮栅之间设置有层间介质层。

10.根据权利要求9所述的存储单元，其特征在于，所述层间介质层包括依次层叠的第一氧化层、氮化层和第二氧化层。

11.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于，所述第一控制栅两侧形成有侧墙。

12.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

多个呈阵列排布的如权利要求1-11任一项所述的存储单元；

多条沿行方向延伸沿列方向排布的字线，每条所述字线与同一行所述存储单元的控制栅电连接；

多条沿列方向延伸沿行方向排布的位线，每列所述存储单元具有两条所述位线，每个所述存储单元的第一漏区和第二漏区电连接至不同的位线。

13.根据权利要求12所述的非易失性存储器，其特征在于，沿所述列方向任意相邻的两个所述存储单元之间共用一个漏区，且共用的漏区通过一位线接触孔电连接至同一位线。