[发明专利]半导体装置及方法有效
申请号: | 201710057576.5 | 申请日: | 2017-01-26 |
公开(公告)号: | CN107026166B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈奕升;郑光茗;范富杰;高荣辉;陈奕寰;林国树 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/098 | 分类号: | H01L27/098;H01L29/06;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本揭露实施例涉及一种半导体装置及方法。所述半导体装置包含晶体管。所述晶体管包含:有源区,在衬底中;图案化导电层,是互连层的一部分,所述互连层用于路由;和绝缘层,延伸在所述衬底上方且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘。所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其包括:晶体管,其包含:有源区,在衬底中;图案化导电层,是互连层的一部分,所述互连层用于路由;和绝缘层,在所述衬底上方延伸且用以将所述有源区与所述图案化导电层绝缘,其中所述图案化导电层和所述绝缘层充当所述晶体管的栅极。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的