[发明专利]具有多电极控制的高压器件有效

申请号：	201680036699.4	申请日：	2016-06-22
公开（公告）号：	CN107924918B	公开（公告）日：	2021-11-26
发明（设计）人：	S·R·巴尔;M·D·西曼	申请（专利权）人：	德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号：	H01L27/098	分类号：	H01L27/098;H01L29/778
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司 11245	代理人：	徐东升;王爽
地址：	美国德***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	在所描述的示例中，高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165)，其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时，场电极(162、164)被配置为响应于场电压，传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极节点(152)、源极节点(154)或控制栅极(156)中的任一个共享电荷。有利地，所隔离的场电极(162、164)使控制栅极(156)与漏极节点和源极节点(152、154)的电容最小化，使得HVT(140)可在高压环境中以较小的功率损耗和更健壮的性能进行切换。
搜索关键词：	具有电极控制高压器件
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【主权项】：

一种高压器件，其包括：低压晶体管即LVT，所述LVT形成在第一衬底上，所述LVT具有第一漏极节点、第一控制栅极和第一源极节点；以及高电子迁移率晶体管即HEMT，所述HEMT形成在第二衬底上，所述HEMT具有：二维电子气层即2DEG层，所述二维电子气层设置在所述第二衬底上面；第二漏极节点，所述第二漏极节点设置在所述2DEG层上面，并且被配置为接收高压源；第二源极节点，所述第二源极节点设置在所述2DEG层上面，并且与所述LVT的所述第一漏极节点连接；第二控制栅极，所述第二控制栅极设置在所述2DEG层上面，并且被配置为调节由所述第二漏极节点、所述第二源极节点，以及所述2DEG层联合限定的沟道；以及场电极，所述场电极设置在所述沟道上面，并且被配置为沿着所述沟道分配电荷，所述场电极在由所述第二衬底限定的区域上方不与所述第二控制栅极和所述第二源极节点接触。

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摘要：本发明提供一种半导体装置，其所具有的起动电路具备出色的特性，且适于IC化。形成有在N型外延层(12)形成，并规定漏极区域(121)的P型元件分离区域(13)。在漏极区域(121)内形成基体区域(15)，在基体区域(15)内形成N型源极区域(16)。在漏极区域(121)与源极区域(16)之间的沟道区域上配置栅电极(20)，形成LDMOS。经由漏极区域(121)、作为栅极发挥功能的P型分离区域(13)和P型元件分离区域(13)基于对漏极区域(121)施加的电压而被反向偏置、使耗尽层延伸的沟道区域，配置JFET的源极引出层(23)，形成JFET。

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摘要：本发明是关于一种点转换系统的极性切换结构，其是由一第一晶体管与一第二晶体管皆设置于一P型井，一N型井设置于P型井内，并位于第一晶体管与第二晶体管之间，N型井包含一第三晶体管与一第四晶体管，其中，第三晶体管的一端耦接第一晶体管的一端，产生一第一输入端，第四晶体管的一端耦接第二晶体管的一端，产生一第二输入端，并且第一晶体管的另一端、第二晶体管的另一端、第三晶体管的另一端与第四晶体管的另一端相耦接，产生一输出端。如此，通过切换P型井与N型井的电压极性，以达到大范围的电压差输出的目的。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]具有多电极控制的高压器件有效

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