“杜硕伦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202111119313.5在审
发明人： 杜硕伦;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件，包括：基底；源极区与漏极区位于所述基底中；栅极结构，位于所述源极区与所述漏极区之间的所述基底中；绝缘层，位于栅极结构与所述漏极区之间；多个场板，位于所述绝缘层上，其中最接近所述栅极结构的所述场板与所述源极区电性连接；第一阱区，位于所述基底中；本体接触区，位于所述第一阱区中，其中所述本体接触区与所述源极区以及最接近所述栅极结构的所述场板电性连接；以及第一掺杂漂移区，位于所述基底中，其中所述栅极结构位于所述第一阱区与所述第一掺杂漂移区之间，且所述漏极区位于所述第一掺杂漂移区内。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN201410014798.5有效
发明人：蔡钧谚;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向漏极金属氧化物半导体元件及其制造方法，该横向漏极金属氧化物半导体元件包括一阱区、一体区域、一源极区、一漏极区、一栅极结构、一浅沟道隔离结构以及一埋层，具有第二导电类型的阱区位于一衬底中，具有第一导电类型的一体区域位于阱区中，具有第二导电类型的漂移区位于阱区中并与体区域隔开，具有第二导电类型的一源极区于该体区域中，具有第二导电类型的漏极区于漂移区中，栅极结构位于阱区上并介于源极区与漏极区间，浅沟道隔离结构位于漂移区中并介于源极区与漏极区间，具有第一导电类型的埋层位于阱区中并位于漂移区之下，埋层的中心对齐于浅沟道隔离结构的中心。
横向金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]高电压接面场效晶体管结构-CN201210587232.2无效
发明人：许维勋;杜硕伦;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/098 文献下载
摘要：一JFET结构包括具有一第一端子的一第一JFET及与所述第一JFET相邻的一第二JFET。两个JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。所述JFET亦提供至少一调谐旋钮以调整夹止电压，且提供一调谐旋钮以调整所述JFET结构的崩溃电压。此外，所述JFET具有作为另一调谐旋钮的一内埋层以调整所述JFET结构的所述夹止电压。
电压接面场效晶体管结构

[发明专利]双向三极栅流体装置及其制造方法以及包含该装置的电路-CN201210528023.0有效
发明人：陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高电压静电放电(ESD)防护的双向三极栅流体(TRIAC)装置及其制造方法以及包含该装置的电路，该装置可包括一衬底、一N⁺掺杂埋层、一N型阱区以及二个P型阱区。该N⁺掺杂埋层可被设置邻近于该衬底。该N型阱区可围绕该两个P型阱区，使得该N型阱区的一部分被设置在该两个P型阱区之间。该P型阱区可设置在邻近于该N⁺掺杂埋层，且包括一或多个N⁺掺杂板和一或多个P⁺掺杂板。被设置于该两个P型阱区之间的该N型阱区的该部分可以包括一或多个P型部分，比如一P⁺掺杂或一P型注入。
双向三极流体装置及其制造方法以及包含电路

[发明专利]用于高电压静电放电防护的双向双极型结晶体管-CN201210521409.9有效
发明人：陈信良;洪志临;杜硕伦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高电压静电放电防护的双向双极型结晶体管及其制作方法、包含该双向双极型结晶体管的电路，该双向双极型结晶体管包含一衬底、一N+掺杂埋层、一N型阱区、和两个P型阱区。该N+掺杂埋层可以邻近于该衬底而被设置。该N型阱区可以围绕该两个P型阱区，从而使该N型阱区的一部分被安插于该两个P型阱区之间。该多个P型阱区可以邻近于该N+掺杂埋层而被设置，且包含一或更多的N+掺杂板、一或更多的P+掺杂板、一或更多的场氧化物(FOX)部分、和一或更多的场板。一多重射极结构也被提供。
用于电压静电放电防护双向双极型结晶体

[发明专利]用于双向高压ESD防护的双载子晶体管-CN201210458417.3有效
发明人：陈信良;杜硕伦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种EPI工艺以新式应用低压架构用于双向高压ESD防护的双向双载子晶体管(BJT)。一种双向静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)防护装置可包括一衬底、一N+掺杂埋层、一N型阱区以及两个P型阱区；该N+掺杂埋层可以被沉积为邻近于该衬底；该N型阱区可能围绕该两个P型阱区，使得该N型阱区的一部分介于该两个P型阱区之间；该两个P型阱区可以被沉积为邻近于该N+掺杂埋层，并包括一或多个N+掺杂板以及一或多个P+掺杂板。
用于双向高压 esd 防护双载子晶体管

[发明专利]具有增强击穿电压的肖特基二极管-CN201210172695.2有效
发明人：吕晋贤;杜硕伦;张晋伟;詹景琳;李明东 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改良的肖特基二极管结构及其制造方法。此肖特基二极管结构具有p型主体区域在操作上可以夹住在高电压n型区域中的电流路径，以及场-平板结构在操作上可以将该肖特基二极管的电场电位分配。N阱区域注入于该硅衬底内的一p型外延层之上，且可以作为该肖特基二极管的一阴极，以及N阱区域注入于该高电压N阱区域内可以作为该肖特基二极管的阳极。此肖特基二极管结构也可以作为一低端金属氧化物半导体场效晶体管结构。
具有增强击穿电压肖特基二极管

[发明专利]一种双极结晶体管及其制造方法-CN201110226834.0无效
发明人：张晋伟;詹景琳;吕晋贤;李明东;杜硕伦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-08-09 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极结晶体管及其制造方法。该双极结晶体管包括阱区、射电极、基电极、集电极与导电层。射电极、基电极与集电极通过阱区互相分开。导电层位于基电极与集电极之间的阱区上。该双极结晶体管的制造方法，包括：形成一导电层于一阱区上；以及形成一射电极、一基电极与一集电极于该阱区中，其中该射电极、该基电极与该集电极通过该阱区互相分开，该导电层位于该基电极与该集电极之间的该阱区上。
一种结晶体及其制造方法

[发明专利]高电压静电放电防护用的自我检测装置及其制造方法-CN201110072048.X有效
发明人：陈信良;杜硕伦;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了高电压静电放电(ESD)防护用的自我检测装置及其制造方法。ESD防护装置可包含一衬底、一N型阱区及一P型阱区。N型阱区配置对应于衬底的一第一部分并具有两个配置于其的一表面的N+区段。P型阱区配置成接近衬底的一第二部分并具有一P+区段与一N+区段。两个N+区段可彼此隔开且每个可关联至装置的一阳极。N+区段可关联至装置的一阴极。一接触部可配置于在两个N+区段之间的一空间中并连接至P+区段。接触部可形成一寄生电容，其关联至联合N+区段形成的一寄生电阻而提供自我侦测以供高电压ESD防护使用。
电压静电放电防护自我检测装置及其制造方法

[发明专利]一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法-CN201010267866.0有效
发明人：黄学义;杜硕伦;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，漏极区域重掺杂第一掺杂物。第二阱轻掺杂第二导电掺杂物且形成于基板的另一部分，第二阱的表面具有源极区域，源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，此些第一部份及第二部份分别重掺杂第一及第二导电掺杂物。场氧化物形成于基板的上表面。多个接触垫接触栅极、漏极区域及源极区域，接触此些源极区域的接触垫包括导电材质的单条状延伸经过源极区域。
一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]双极接面晶体管装置-CN201010226299.4有效
发明人：林正基;许维勋;杜硕伦;连士进;叶清本 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
双极接面晶体管装置

[发明专利]高增益常数β双极性接合晶体管及其制造方法-CN201010111224.1有效
发明人：林正基;杜硕伦;连士进 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明揭露一种N-P-N双极性接合晶体管，其射极集极崩溃电压大于10伏特，且增益常数β大于300，在制造晶体管时加上一层N型层，可以减少电子与空穴的重新结合，同时也达到提高增益常数β的效果。
增益常数极性接合晶体管及其制造方法

[发明专利]集成半导体元件的制造方法及其结构-CN201010243793.1有效
发明人：黄学义;李明东;杜硕伦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。
集成半导体元件制造方法及其结构

[发明专利]集成电路器件和微机电组件的整体制造方法-CN02131994.4有效
发明人： 杜硕伦;江禄山;朱世麟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：一种集成电路器件及微机电组件的整体制造方法，包括下列步骤：提供一半导体衬底，该半导体衬底分为集成电路区域以及微机电组件区域，且该集成电路区域形成有一集成电路器件；淀积一绝缘层于该集成电路区域以及微机电组件区域上；蚀刻该绝缘层，以分隔该集成电路区域以及微机电组件区域上的绝缘层，其中集成电路区域上的绝缘层为一内层介电层，且该微机电组件区域上的绝缘层作为一牺牲层；淀积一结构层于该微机电组件区域上；淀积一介电层于该结构层及该内层介电层上；于该介电层中形成多个介电层孔，以暴露出该集成电路区域与该微机电组件区域的接触区；以及于该介电层上淀积一金属层，该金属层填入该介电层孔中。
集成电路器件微机组件整体制造方法

1
共 14 条